[实用新型]一种硅单晶生长用勾形电磁场装置无效
| 申请号： | 200920107968.9 | 申请日： | 2009-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN201400727Y | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 张鸣剑;李润源;付宗义 | 申请（专利权）人： | 北京京仪世纪自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B30/04 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;陈 亮 |
| 地址： | 100079北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅单晶 生长 用勾形 电磁场 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种硅单晶生长用勾形电磁场装置，其特征在于，在单晶炉的外围设有上下分离的两组导电线圈，所述两组导电线圈结构相同，分别接通大小相等，方向相反的电流。
2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述每组导电线圈环绕成多匝，横向匝数为5-9匝，纵向匝数为10-19匝。
3、根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述导电线圈为金属管绕制而成。
4、根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述金属管横截面为方形。
5、根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述金属管中通冷却液。
6、根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述冷却液为水。
7、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两组导电线圈之间的距离可以调节。
8、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两组导电线圈包括多个导电线圈。
9、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述两组导电线圈的外围设有磁屏蔽装置。
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