[实用新型]用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置有效

专利信息
申请号: 200920107674.6 申请日: 2009-05-06
公开(公告)号: CN201427858Y 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 景玉鹏;惠瑜;高超群 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 牺牲 释放 二氧化碳 固态 升华 装置
【权利要求书】:

1、一种用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置,其特征在于,该装置至少包括过滤器(1)、暂存罐(2)、恒流恒压泵(3)、流量计(4)、主工作腔室(5)、温度压力控制装置(7)和分离器(10),其中,过滤器(1)、暂存罐(2)、恒流恒压泵(3)、流量计(4)、主工作腔室(5)和分离器(10)依次连接,温度压力控制装置(7)连接于主工作腔室(5),分离器(10)连接于过滤器(1),分离器(10)与过滤器(1)构成循环回路。

2、根据权利要求1所述的用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置,其特征在于,所述过滤器(1)通过第一阀门a连接于二氧化碳钢瓶。

3、根据权利要求1所述的用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置,其特征在于,所述暂存罐(2)通过第二阀门b连接于恒流恒压泵(3)。

4、根据权利要求1所述的用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置,其特征在于,所述主工作腔室(5)通过第三阀门c连接于分离器(10)。

5、根据权利要求1所述的用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置,其特征在于,所述分离器(10)进一步连接于排出乙醇的第四阀门d。

6、根据权利要求1所述的用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置,其特征在于,所述主工作腔室(5)进一步安装有放置芯片的硅片架(6)。

7、根据权利要求1所述的用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置,其特征在于,所述温度压力控制装置(7)中进一步安装有监视主工作腔室(5)内温度和压力变化的温度传感器(8)和压力传感器(9)。

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