[实用新型]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括：

由导电材料制成的反应腔；

设置于反应腔内的一第一电极；

设置于反应腔内与第一电极相对设置的一第二电极；

一射频功率源与第二电极相连接，用以提供射频功率而在第一电极及

第二电极之间形成射频电场和形成等离子体；

一基座设置于反应腔内用于支撑被处理的基片或晶片；

一介电体围绕所述基座，并包围所述基座中的第二电极外侧面的；

一射频能量引导元件，其由导电材料制成并且在等离子体处理过程中电浮地，所述射频能量引导元件包括：

一覆盖部，设置于介电体外侧并至少部分包围该介电体中的第二电极外侧面的一部分；以及

一向内延伸部，其一端与所述覆盖部相交，其相对的另一端向靠近基座的一侧延伸。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述介电体包括一外侧面及与该外侧面相交的一上表面，所述向内延伸部设置于该介电体的上表面上方并且至少部分覆盖该介电体的上表面。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述介电体包括一外侧面及与该外侧面相交的一上表面，所述向内延伸部设置于该介电体的上表面下方的某一位置并且内嵌于该介电体内。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述覆盖部与向内延伸部相交之处沿竖直方向截面后所形成的交角为90度。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述覆盖部与向内延伸部相交之处沿竖直方向截面后所形成的交角为65度至135度之间。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件由金属材料制成。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件由铝制成。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件至少部分表面作阳极化处理。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件的向内延伸部上方进一步设置有一由介电材料制成的覆盖环，所述覆盖环覆盖该射频能量引导元件的向内延伸部。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件的覆盖部外侧进一步设置有一由耐等离子体腐蚀材料制成的遮蔽环，所述遮蔽环包围射频能量引导元件的覆盖部。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件的向内延伸部或覆盖部的外表面涂覆有耐等离子体腐蚀的覆盖层。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件的向内延伸部为一具有内径与外径的环状结构。

13.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件的覆盖部为一筒状结构。

14.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频能量引导元件的覆盖部外侧进一步设置有一由介电材料制成的遮蔽环，所述遮蔽环包围射频能量引导元件的覆盖部。