[实用新型]过压抑制和自恢复电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于电能量数据采集终端的市电输入回路的过压抑制和自恢复电路。

背景技术

电能量数据采集终端的电源电路关系到采集终端的稳定、可靠运行以及电能数据的正确采集。采集终端中普遍使用市电输入，而市电电网状况不稳定，电压波动频繁且波动范围大，易造成用电设备损坏。对于这种现象目前还只在市电输入回路中设置了浪涌保护电路，避免雷击时损坏设备，而对于非雷击造成的过压，一般采用保护开关，这种开关灵敏度较低，有时在触头粘接后无法跳闸，并且跳闸后需要人工合闸，因此仍有可能造成后级电路及设备损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种对电能量数据采集终端的市电输入回路的过压能可靠抑制并能自动恢复对后级电路供电的过压抑制和自恢复电路。

本实用新型提供的这种过压抑制和自恢复电路，仍包括浪涌保护电路，还包括全波整流电路、滤波电路、前级电压采样电路、MOSFET电路、自恢复反馈电路；其中浪涌保护电路、全波整流电路、滤波电路之间顺序串联，对市电进行整流滤波并与前级电压采样电路和MOSFET电路连接，自恢复反馈电路与MOSFET电路连接，MOSFET电路连接与电源输出电路连接。

本实用新型通过前级电压采样电路来控制MOSFET管，在过压情况下，断开MOSFET，保护后级电路；自恢复电路通过反馈电路来控制MOSFET管，当过压下降至阀值后，接通MOSFET管，对后级电路进行安全供电。因此本实用新型与传统的保护开关相比动作灵敏，过压抑制可靠，并且能自动回复对后级电路供电。由此保证了后级电能量数据采集终端电路及设备不会因市电电网状况不稳定而遭到损坏。

附图说明

图1是本实用新型的电路结构框图。

图2是本实用新型一种实施方式的电路图。

具体实施方式

从图1可以看出本实用新型主要由浪涌保护电路、全波整流电路、滤波电路、前级电压采样电路、MOSFET电路和自恢复反馈电路几部分组成。其中浪涌保护电路、全波整流电路、滤波电路之间顺序串联，对市电进行整流滤波并与前级电压采样电路和MOSFET电路连接，自恢复反馈电路与MOSFET电路连接，MOSFET电路连接与电源输出电路连接。由MOSFET控制电源的输出。前级电压采样电路对经过整流、滤波后的市电进行采样输入，电压采样信号输入给MOSFET电路，若市电输入出现过压，则电压采样信号出现由低到高的变化，将启动MOSFET的关断动作。自恢复反馈回路在市电输入由过压情况变化为正常范围电压时，打开MOSFET电路，恢复对后级电路的供电。同时，自恢复反馈回路还能保护MOSFET器件。

图2反应了本实用新型的一个具体实施方式：

从图2可以看出全波整流电路由整流桥BR1来实现，前级电压采样电路由放电管V1，分压电阻R1、R2、R4、R5、R8、R9、R15、R16、R19、R20、R27、R28、R29、R30和R34、C5组成。

MOSFET电路由三极管V4，MOS管V6，稳压管V5，电阻R6、R7、R10、R11、R17、R18、R23、R24和电阻R33，电容C4组成。电源输出电路由热敏电阻R35，二极管V2和V3组成。

自恢复反馈回路由三联电阻R38、R39、R40，两路阻容电路(电阻R36-电容C6、电阻R37-电容C7)组成，三联电阻一端连在MOSFET电路的三极管基极，另一端连在电源输出电路，两路组容电路与MOSFET管(V6)并联。

市电正常输入时，经整流桥BR1整流为直流输出，前级电压采样电路对直流电压采样，由于市电正常，因此稳压管V1截止，采样电路无电流，采样电压为低电平，从而三极管V4截止。直流电压经MOS管门极的电阻串输入到稳压管V5，V5导通，打开MOS管输出，直流电压通过电源输出电路输出。

如果市电输入经整流后电压高于稳压管V1的阈值，则前级电压采样电路输出高电平，将MOS管门极迅速拉低，此时稳压管V5截止，MOS管V6也处于关断状态。过压将不会输出到后级电路，从而保护整个系统不受损坏。