[实用新型]整流二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，具体涉及一种整流二极管。

背景技术

整流二极管是最基本的半导体器件，主要作用为将交流电转变为直流电，广泛应用于各种电子线路。二极管晶粒主要有GPP和O/J两类。GPP晶粒制作的整流二极管高温特性好，但是晶粒造价高，晶粒周围的玻璃钝化层使其有效面积减小造成正向导通压降较大，电能损耗大。O/J晶粒成本低，但是四角外形晶粒焊接面积小，正向压降高，难以清洗，边角尖端放电，高温特性不好。

发明内容

针对上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种利于提高导通电压以及散热性能好的整流二极管。

实现本实用新型目的的技术方案如下：

整流二极管，硅晶片的两侧面均设有焊片，各焊片上固定一个导电体，硅晶片以及固定有导电体的焊片通过环氧树脂所包覆，所述硅晶片为大于四边以上的多边型体，该多边型体的硅晶片的各条边上形成有向硅晶片两侧面的凸出结构，凸出结构的表面设有保护层。

所述凸出结构为弧形的延伸体。

所述凸出结构的厚度为3-5mm。

采用了上述方案，所述硅晶片为大于四边以上的多边型体，该多边型体的硅晶片的各条边上形成有向硅晶片两侧面的凸出结构，通过在硅晶片两侧面设置凸出结构后，可增大硅晶片有效面积，不但利于增大正向的导通电压，减小电能损耗，而且有效面积增大后，其散热面积也得以增大，这样可以使得硅晶片高温特性增强。并且与环氧树脂的接触面积也得以增大，使得热传递的有效面积增大，利于提高散热性能。凸出结构的表面设有保护层。凸出结构的表面设有保护层，通过保护层可起到绝缘保护的作用。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

附图中，1为硅晶片，2为焊片，3为导电体，4为环氧树脂，5为凸出结构，6为保护层。

具体实施方式

参照图1，为本实用新型的整流二极管，硅晶片1的两侧面均设有焊片2，各焊片上固定一个导电体3，硅晶片以及固定有导电体的焊片通过环氧树脂4所包覆，所述硅晶片为大于四边以上的多边型体，本实施例中，硅晶片为正六边形的硅晶片。多边型体的硅晶片1的各条边上形成有向硅晶片两侧面的凸出结构5，凸出结构为从硅晶片本体向两侧形成的弧形的延伸体，凸出结构的材料与硅晶片的材料一致。凸出结构5的厚度为3-5mm。凸出结构的表面设有保护层6。