[实用新型]磁敏电阻高转速传感器无效
申请号: | 200920038057.5 | 申请日: | 2009-01-09 |
公开(公告)号: | CN201340426Y | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 丁加春 | 申请(专利权)人: | 南京新捷中旭微电子有限公司 |
主分类号: | G01P3/42 | 分类号: | G01P3/42 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 211100江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 转速 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种磁敏电阻高转速传感器,用于测量高速电机转速的传感器,尤其能测量转速达到40万转/分高转速转轴电机、PCB高速打孔机等。
背景技术
目前,测试电机转速的传感器很多种,一般由霍尔集成电路、磁铁、加电路构成,但这些测量转速一般不能达到高速测量的要求,只能达到20万转/分,对于更高的转速的电机,一般转速传感器无法测量。
实用新型内容
1、所要解决的技术问题:
针对以上不足,本实用新型提供了一种可测量高转速,且体积小、便于安装的磁敏电阻高转速传感器。
2、技术方案:
本实用新型包括装配芯座3、环氧树脂4、导线5、外壳6;装配芯座3设置在外壳6内,环氧4填充在外壳6内,使装配芯座3与外壳6连接在一起;装配芯座3连有导线5。所述的装配芯座3包括InSb磁敏电阻芯片7、磁钢8、磁环9、线路板10、引脚11;InSb磁敏电阻芯片7贴在磁钢8上,放入磁环9中通过引脚11连接线路板10。所述的InSb磁敏电阻芯片7由InSb薄膜1设置在硅片衬底2上而形成。
3、有益效果:
本实用新型能达到高速测量的要求,且体积小,便于安装。
附图说明
图1是本实用新型的纵剖面构造图;
图2是装配芯座的结构示意图;
图3是本实用新型的InSb芯片图。
具体实施方式
在带金属外壳中,一只InSb磁敏电阻芯片、磁铁、骨架、三根引线连接而成。当铁磁材料的齿轮在传感器端面转动,齿轮的齿先后划过InSb磁敏电阻中两只分阻,两只分阻电阻值发生变化,其分电阻的中间对应产生输出模拟电压信号。由于InSb磁敏电阻芯片的固有特性可以响应很高的频率,所以在检测高转速电机时,输出幅度不会衰减。进而达到高速测量的目的。
图1中,3为装配芯座、4为环氧树脂、5为导线、6为外壳;装配芯座3设置在外壳6内,环氧4填充在外壳6内,使装配芯座3与外壳6连接在一起;装配芯座3连有导线5,用于信号输出。
图2中,7为InSb磁敏电阻芯片、8为磁钢、9为磁环、10为线路板、11为引针;InSb磁敏电阻芯片7贴在磁钢8上,放入磁环9中通过引脚11连接线路板10。
图3中,1为InSb薄膜、2为硅片衬底;InSb薄膜1设置在硅片衬底2上,形成InS磁敏电阻芯片。
虽然本实用新型已以较佳实施例公开如上,但它们并不是用来限定本实用新型,任何熟习此技艺者,在不脱离本实用新型之精神和范围内,自当可作各种变化或润饰,因此本实用新型的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
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