[实用新型]大功率脉冲磁控管用陶瓷引线

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种陶瓷引线，尤其是一种用于大功率脉冲磁控管的陶瓷引线。

背景技术

现有的大功率脉冲磁控管一般使用的阴极引线为玻璃结构，钨杆4固定定位于玻璃件8内，钨杆4上端固定穿设过玻璃件8的上部，第二扼流圈3固定套设在钨杆上，第一扼流圈2下部固连无氧铜连接圈1的内壁，无氧铜连接圈的上部固定穿设在玻璃件8的下部，由于玻璃与金属封接的技术原因，导致产品的可靠性低、抗冲击性能低、一致性差且耐温性能低，给生产带来了较大的难度，实际的生产成本较高。陶瓷与金属封接结构具有可靠性高、抗冲击性能高、一致性好且耐温性能高的优点，国内外很多专家学者一直想使用陶瓷与金属封接结构作为大功率脉冲磁控管的引线结构，但由于改变结构后会导致产品一系列的微波参数变化，导致输出功率变化而无法满足客户的要求，多年来一直未研制成功。

发明内容

为了克服上述缺陷，本发明提供了一种大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，可有效提高产品的整体性能和成品率，降低生产成本。

本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种大功率脉冲磁控管用陶瓷引线，包括无氧铜连接圈、第一扼流圈、至少一个钨杆和与钨杆相同数量的第二扼流圈，以装配方向为基准：还包括有陶瓷件和与钨杆相同数量的无氧铜封接环，该陶瓷件的上端端口中固定设有陶瓷引线环，无氧铜封接环固定穿置在陶瓷引线环的底部，所述第二扼流圈固定定位于无氧铜封接环的下方，所述钨杆的上端固定穿设过第二扼流圈且固定穿置在所述无氧铜封接环的底部中，通过无氧铜封接环与陶瓷引线环的连接设置，使原本不可与陶瓷材料连接的钨杆固定定位在了陶瓷件中，且采用无氧铜封接环与陶瓷引线环的陶瓷与金属封接结构来定位连接钨杆和固套于钨杆上的第二扼流圈，有效解决了陶瓷与金属封接结构与磁控管对材料高导电率要求的矛盾，所述陶瓷件的下端与无氧铜连接圈的上端固连，第一扼流圈固定定位于无氧铜连接圈和陶瓷件内，第一扼流圈的底部固连无氧铜连接圈的内壁，第二扼流圈的底部位于第一扼流圈内，第二扼流圈的下端面低于第一扼流圈的上端面设定距离，采用陶瓷件与无氧铜连接圈固连，又第二扼流圈下端面低于第一扼流圈上端面设定距离来防止微波能量的泄露，解决了陶瓷与金属封接问题和微波能量泄露问题间的矛盾，使陶瓷与金属封接结构可用于大功率磁控管上，产品可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，有效提高了产品的整体性能，提高了产品的成品率，降低了生产成本。

本实用新型的进一步技术方案是：

所述陶瓷件下端面上金属化而形成有一层金属封接层，所述无氧铜连接圈的上端焊接固连所述金属封接层。

所述陶瓷引线环底部与无氧铜封接环相接触的面上金属化而形成有一层金属封接面，所述无氧铜封接环固定穿置焊接在所述金属封接面中。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过无氧铜封接环与陶瓷引线环的连接设置，使原本不可与陶瓷材料连接的钨杆固定定位在了陶瓷件中，且采用无氧铜封接环与陶瓷引线环的陶瓷与金属封接结构来定位连接钨杆和固套于钨杆上的第二扼流圈，有效解决了陶瓷与金属封接结构与磁控管对材料高导电率要求的矛盾；采用陶瓷件与无氧铜连接圈固连，又第二扼流圈下端面低于第一扼流圈上端面设定距离来防止微波能量的泄露，解决了陶瓷与金属封接问题和微波能量泄露问题间的矛盾，使陶瓷与金属封接结构可用于大功率磁控管上，产品可靠性高、一致性好、抗冲击性能高及耐温性能高，有效提高了产品的整体性能，提高了产品的成品率，降低了生产成本。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型所述原有技术的结构示意图。

具体实施方式