[实用新型]一种闪存烧录装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种闪存装置，尤其是一种闪存烧录装置。

背景技术

目前应用的非挥发性内存(NVM)即使在电源关闭后，其内部所储存的数据仍能保存，并不像动态随机存取内存(DRAM)或同步动态随机存取内存(SDRAM)一样，在电源关闭后，其内部所储存的数据便跟着消失。因此，非挥发性内存逐渐受到市场的重视。

其中，闪存(flash memory)即属于非挥发性内存。而闪存可分为两种类型，分别是：反及型(NAND型)闪存与反或型(NOR型)闪存。其中，以反及型闪存(NAND Flash)的应用较为广泛。

闪存具有诸多优点，例如：闪存不须具备特别的电池来保存所储存的数据；闪存的体积较小，于使用时不会消耗大量的电力；闪存可快速读取/写入数据。也就是因为具备上述的优点，使得闪存已被广泛应用于多种电子产品中，例如：数字相机、可携式计算机(UMPC)、智能型手机(smart phone)、个人数字助理(PDA)或电子游戏机等。

然而，针对NAND Flash的烧录方面，仍具有相当的改善空间。目前传统技术上，针对NAND Flash的烧录方法有两种，即1、通过NAND Flash专用的烧录器，进行NAND Flash的烧录。然而，目前市场销售的烧录器最多一次只能烧录4片NAND FLASH；2、在生产线上利用SD卡对NAND Flash进行数据更新。

然而，上述传统的两种烧录方式，不但不能满足大量生产的需要，而且速度慢，对于必须大量产出的生产线来说，工作效率很低。因此，如何解决传统上无法大量烧录闪存的问题，为一亟待解决的议题。

实用新型内容

本实用新型提出一种闪存烧录装置，可同时烧录多个闪存，从而解决传统技术上，无法大量烧录闪存的问题，进而可达到生产线须大量生产时的需求。

本实用新型的技术解决方案是：本实用新型为一种闪存烧录装置，其特殊之处在于：该闪存烧录装置包括数据模块、控制模块和扩展模块，数据模块通过控制模块与扩展模块连接；控制模块包括ARM中央处理单元；控制模块包括闪存接口；扩展模块一端通过闪存接口与控制模块相接，另一端设置有多个用于连接闪存的扩展接口。

上述数据模块包括USB接口或记忆卡接口。

上述记忆卡接口是SD、SDHC、CF、SM、XD及MS卡接口。

上述扩展模块包括至少一个复杂可编程逻辑装置或场效可程序化闸极数组。

上述ARM中央处理单元是CPU S3C2443。

上述闪存烧录装置包括用来连接显示模块的显示接口和用来供使用者操作的使用者接口，显示接口和使用者接口分别和控制模块相接。

上述显示模块是计算机显示器。

上述使用者接口包括按键和LED指示灯。

上述闪存是反及型闪存。

由于本实用新型设置有扩展接口，并配合控制模块，可以实现同时烧录多个闪存，满足了大量生产的闪存的需求，提高了工作效率。而且，本实用新型结构简单，易于实现，成本低廉。并且，本实用新型的控制模块以ARM平台为基础控制后续的烧录动作，具有节能的特点。

附图说明

图1是本发明的第一实施例示意图；

图2是本发明的第二实施例示意图；

图3是本发明的第三实施例示意图；

图4是本发明的第四实施例示意图。

具体实施方式

请参见图1：该图所示为闪存烧录装置的第一实施例示意图；本实用新型所提出的闪存烧录装置，用来同时烧录多个闪存，该闪存烧录装置包含：控制模块10、数据模块20及扩展模块30。

控制模块10具有一个闪存接口12。其中，控制模块10包含ARM中央处理单元(CPU)，因此本实用新型所提出的控制模块10是以ARM平台为基础而控制后续的烧录动作。

所谓的ARM，即所谓的进阶精简指令集机器(Advanced RISC Machine)。是一种32位精简指令集(RISC)的中央处理器架构，其广泛地使用在许多嵌入式系统(embedded)设计，且具有节能的特点。

ARM的日益普及，使得ARM家族占了所有32位嵌入式处理器约75％的比例，而成为占全世界最多数的32位架构之一。ARM处理器可以在诸多消费性电子产品上看到，从可携式装置(例如：PDA、行动电话、多媒体播放器、掌上型电玩、计算器等)到计算机外设设备(例如：硬盘、桌上型路由器等)都有。