[实用新型]单晶炉单入口式水冷炉盖无效

专利信息
申请号: 200920031784.9 申请日: 2009-01-20
公开(公告)号: CN201372320Y 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 时刚;韩有河 申请(专利权)人: 西安创联新能源设备有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710075陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 单晶炉单 入口 水冷
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种水冷炉盖,特别涉及一种可用于半导体材料晶体生长炉的单晶炉单入口式水冷炉盖。

背景技术

水冷炉盖的结构一般包括炉盖外壁、炉盖内壁、炉颈外壁、炉颈内壁、视口、观察窗和若干个冷却水入口和冷却水出口等。由于普通炉盖的形状复杂、功能附件多,必须通过数个冷却水入口和出口来同时导入冷却水,以保证炉盖的温度保持在允许范围内。这样就造成晶体生长炉外接的冷却水管道数目庞多,维护不便,并为晶体生长炉的长期运行带来了安全隐患,同时还影响了产品的美观性。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种单晶炉单入口式水冷炉盖,具有安全、可靠、美观的特点,可以提高晶体生长炉的运行安全性,便于生长炉的日常运行维护。

本实用新型的技术方案是这样实现的:单晶炉单入口式水冷炉盖,包括炉盖本体1,本体1的上端设置有视口2和观察窗3及出水口4,本体1上还设置有进水管5,本体1的内壁上设置有水槽6,水槽6的一端与进水管5相连通,另一端分别与视口2和观察窗3相连通,末端与出水口4相连通。

所述的水槽6呈螺旋状分布在本体1的内壁上。

所述的进水管5和出水口4有且只有1个。

本实用新型只采用一个出水口4、一个进水管5,结构紧凑,美观,安全性高,能方便、可靠地实现半导体材料晶体生长炉炉盖的冷却。

附图说明

附图是本实用新型的结构原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作详细叙述。

参照附图,单晶炉单入口式水冷炉盖,包括炉盖本体1,本体1的上端设置有视口2和观察窗3及出水口4,本体1上还设置有进水管5,本体1的内壁上设置有螺旋状的水槽6,水槽6的一端与进水管5相连通,另一端分别与视口2和观察窗3相连通,末端与出水口4相连通。

本实用新型的工作原理为:由进水管5通入冷却水,冷却水通过螺旋状的水槽6将冷却水连续、均匀地依次疏散到炉盖本体1、视口2、观察窗3部位,最后经出水口4流出。

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