[发明专利]用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物有效
| 申请号： | 200911000051.X | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101760355A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吴爱萍;M·B·劳;E·C·巴里施波莱克 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/26;C11D7/34;C11D7/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐厚才;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 cowp 多孔 电介质 清洁 组合 | ||
1.用于从具有CoWP特征的半导体基片除去蚀刻后和灰残留物的非氟化物湿清洁配制剂，基本上由以下组成：
去离子水，7-99.7wt％；
有机酸，选自乙酸、辛酸及它们的混合物，0.5-3wt％；
胺，选自三乙醇胺和N-甲基单乙醇胺，1.5-10wt％；
甘油，25-55wt％；
任选的缓蚀剂；
其中各组分含量之和为100wt％；
其中所述配制剂与所述CoWP特征相容，并且，(a)胺与有机酸的摩尔比提供在7-14的范围的pH值。
2.权利要求1的配制剂，其中pH值保持在7-11的范围。
3.权利要求1的配制剂，其含有选自以下的缓蚀剂：苯并三唑、甲苯并三唑及它们的混合物。
4.一种从具有CoWP特征的半导体基片上湿清洁除去蚀刻后和灰残留物的方法，包括：
提供具有CoWP特征的半导体基片；
使所述基片与湿清洁配制剂接触，所述配制剂包含：
去离子水，7-99.7wt％；
有机酸，选自乙酸、辛酸及它们的混合物，0.5-3wt％；
胺，选自三乙醇胺和N-甲基单乙醇胺，1.5-10wt％；
甘油，25-55wt％；
其中各组分含量之和为100wt％；
其中，所述配制剂与所述CoWP特征相容，并且，(a)胺与有机酸的摩尔比提供在7-14的范围的pH值，或者(b)所述配制剂包括缓蚀剂。
5.权利要求4的方法，其中所述CoWP特征临近铜金属特征。
6.权利要求4的方法，其中所述基片包括多孔低介电特征。
7.权利要求4的方法，其中在接触过程中的温度在20至45℃的范围。
8.权利要求4的方法，其中所述接触进行0.1至5分钟的时间。
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