[发明专利]与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件

权利要求书

1.与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于包括由线圈及与线圈隔离并接受磁信号的高灵敏度磁敏传感器和放大比较电路三部分，所述的线圈由相串联的两层金属平面线圈(1)组成。

2.根据权利要求1所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的磁敏传感器是GMR磁敏电阻或由其组合而成的电桥。

3.根据权利要求1所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的磁敏传感器是MTJ磁敏电阻或由其组合而成的电桥。

4.根据权利要求1或2或3所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的线圈上设置有软磁屏蔽层(2)。

5.根据权利要求2所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的GMR磁敏电阻是由GMR自旋阀材料制成，GMR自旋阀材料是多层膜结构：含自由铁磁层(6)、非磁性导电层Cu层(5)、被钉扎层(4)和钉扎层(3)四层。

6.根据权利要求3所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的MTJ磁敏电阻是由MTJ材料制成，MTJ材料：含自由铁磁层、隧道阻挡层、被钉扎层和钉扎层四层。

7.根据权利要求1或2或3或5或6所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的磁敏传感器为由线性的GMR磁敏电阻或MTJ磁敏电阻组成的惠斯通电桥。

8.根据权利要求7所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的电桥上方设有绝缘层。

9.根据权利要求5或6所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的线圈在单向电流模式或双向电流模式下工作。

10.根据权利要求8所述的与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，其特征在于所述的惠斯通电桥在没有电流输入时可预先设置一个初始输出偏置值以代表“0”态(初始态)。