[发明专利]聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 200910310566.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101717569A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 钟家春;余兴江;刘孝波;任伟;李岳山 | 申请（专利权）人： | 四川飞亚新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L71/10 | 分类号： | C08L71/10;C08L79/04;C08G73/06;C08J5/18 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 628000 四川省广元市经济*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚芳醚腈 超支 化酞菁铜介电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜，其特征在于：它是由聚芳醚腈、双邻苯二甲腈和氯化亚铜三种原料共混后成膜得到；双邻苯二甲腈与氯化亚铜的重量之和与聚芳醚腈的重量比为10～40∶60～90，双邻苯二甲腈与氯化亚铜的摩尔比为2.5～3.5∶0.5～1.5。
2.根据权利要求1所述的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜，其特征在于：双邻苯二甲腈与氯化亚铜的摩尔比为3∶1。
3.根据权利要求1或2所述的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜，其特征在于：共混时溶剂为N-甲基吡咯烷酮。
4.根据权利要求3所述的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜，其特征在于：N-甲基吡咯烷酮与三种原料总重的重量比为85～95∶5～15。
5.聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：
(1)按照下列重量配比称取原料：双邻苯二甲腈与氯化亚铜的重量之和与聚芳醚腈的重量比为10～40∶60～90，其中双邻苯二甲腈与氯化亚铜的摩尔比为2.5～3.5∶0.5～1.5；将三种原料溶于N-甲基吡咯烷酮，N-甲基吡咯烷酮与三种原料总重的重量比为85～95∶5～15；
(2)步骤(1)制得的溶液成膜即得；成膜方法为溶液180～220℃回流2～6小时后倒在平板上制成薄膜，将平板置于160～200℃真空条件下烘4～6小时，然后升温至240～260℃烘1～4小时，冷却至室温。
6.根据权利要求5所述的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)平板置于160～200℃真空条件下烘4～6小时，然后升温至250℃烘1～4小时。
7.根据权利要求5或6所述的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)双邻苯二甲腈与氯化亚铜的摩尔比为3∶1。
8.根据权利要求5或6所述的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)N-甲基吡咯烷酮与三种原料总重的重量比为90∶10。
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