[发明专利]谐振增强远红外探测器的制备方法无效
| 申请号: | 200910309228.8 | 申请日: | 2009-11-03 | 
| 公开(公告)号: | CN101697365A | 公开(公告)日: | 2010-04-21 | 
| 发明(设计)人: | 郑美妹;张月蘅;沈文忠 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 | 
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/101;H01L31/0232 | 
| 代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 | 
| 地址: | 200240 上*** | 国省代码: | 上海;31 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 谐振 增强 红外探测器 制备 方法 | ||
1.一种谐振增强远红外探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步、确定要生长的探测器类型和反射镜的形式:探测器的类型是同质结内光发射探测器,顶部反射镜是由空气与探测器形成的界面,而底部反射镜是在远红外波段反射率高且相位匹配的反射镜;
所述的反射镜,从上到下有高掺杂的底部电极层、非掺杂的砷化镓层、金属层;
第二步、利用菲涅尔系数矩阵和介电函数模型,通过数值计算得到腔体内的量子效率,通过使谐振腔内的量子效率最大化,得到优化的探测器和底部反射镜的结构参数和材料参数;
第三步、根据得到优化的参数,用分子束外延法生长谐振增强远红外探测器。
2.根据权利要求1所述的谐振增强远红外探测器的制备方法,其特征是,第一步中所述的探测器为n型砷化镓同质结内光发射的探测器,它是由多周期交替的掺杂的发射层和非掺杂的本征层组成的探测器。
3.根据权利要求1所述的谐振增强远红外探测器的制备方法,其特征是,第二步具体是指:从利用基本的菲涅尔系数矩阵出发,针对多层膜结构和光线入射的情况,推到出每层界面的反射率R和透射率T的计算公式,并根据介电函数模型,结合探测器的参数,计算出远红外波段探测器表面的反射率以及探测器腔与底部反射镜界面上的光透射率T,通过公式A=1-T-R就可以得到探测器腔内的吸收率,通过公式求得内部量子效率ηb和势垒收集率ηc,这样就得到探测器腔体内的总的量子效率ηtotal=A×ηb×ηc,通过使探测器腔内的量子效率最大,并结合考虑可行性的约束,优化探测器结构和底部反射镜结构。
4.根据权利要求1所述的谐振增强远红外探测器的制备方法,其特征是,第三步具体是指:根据优化得到结构参数和掺杂浓度,利用分子束外延生长装置制备远红外探测器结构和底部反射镜结构,这样就得到一个量子效率比较高的谐振增强远红外探测器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910309228.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





