[发明专利]SiCN(O)陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号: | 200910308985.3 | 申请日: | 2009-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN101693618A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
| 发明(设计)人: | 贾德昌;孙振淋;周玉 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | C04B35/515 | 分类号: | C04B35/515;C04B35/622 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 荣玲 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | sicn 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.SiCN(O)陶瓷材料的制备方法,其特征在于SiCN(O)陶瓷材料按照以下 步骤进行制备:一、按照重量份数比称取20~30份的氮源、90~110份的溶剂和 12~18份的硅源;二、将步骤一称取的氮源和步骤一称取的溶剂置于反应釜中, 封闭反应釜后对反应釜进行抽真空,再向反应釜充入氩气作为保护气体,然后 向反应釜中加入硅源进行反应得到生成物,反应釜内的温度为30~150℃,反应 时间为44~50h;三、将步骤二的生成物进行真空抽滤处理,然后将抽滤得到的 滤液转入真空旋转加热蒸发容量瓶中,在80~90℃之间的水浴中进行蒸馏处理 10~60min,最后留于瓶中的物质即为SiCN(O)先驱体;四、将SiCN(O)先驱体放 入氧化铝管式炉中,在氩气或者氮气的保护下进行裂解,在1100~1300℃条件下 保温4~6h,然后随炉冷却至室温,即得到SiCN(O)陶瓷材料;步骤一中所述的 氮源为氨基甲酸铵,所述的溶剂为环己烷、正己烷、苯、甲苯、乙二醇二甲醚、 二乙二醇二甲醚或四氢呋喃,所述的硅源由甲基乙烯基二氯硅烷、乙烯基二氯 硅烷、乙烯基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、苯 甲基二氯硅烷中的一种或其中的几种组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910308985.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种治疗肾病的中药
- 下一篇:A级防火芯板及由其制成的A级防火复合板





