[发明专利]SiCN(O)陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910308985.3 申请日: 2009-10-29
公开(公告)号: CN101693618A 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 贾德昌;孙振淋;周玉 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/515 分类号: C04B35/515;C04B35/622
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 荣玲
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: sicn 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.SiCN(O)陶瓷材料的制备方法,其特征在于SiCN(O)陶瓷材料按照以下 步骤进行制备:一、按照重量份数比称取20~30份的氮源、90~110份的溶剂和 12~18份的硅源;二、将步骤一称取的氮源和步骤一称取的溶剂置于反应釜中, 封闭反应釜后对反应釜进行抽真空,再向反应釜充入氩气作为保护气体,然后 向反应釜中加入硅源进行反应得到生成物,反应釜内的温度为30~150℃,反应 时间为44~50h;三、将步骤二的生成物进行真空抽滤处理,然后将抽滤得到的 滤液转入真空旋转加热蒸发容量瓶中,在80~90℃之间的水浴中进行蒸馏处理 10~60min,最后留于瓶中的物质即为SiCN(O)先驱体;四、将SiCN(O)先驱体放 入氧化铝管式炉中,在氩气或者氮气的保护下进行裂解,在1100~1300℃条件下 保温4~6h,然后随炉冷却至室温,即得到SiCN(O)陶瓷材料;步骤一中所述的 氮源为氨基甲酸铵,所述的溶剂为环己烷、正己烷、苯、甲苯、乙二醇二甲醚、 二乙二醇二甲醚或四氢呋喃,所述的硅源由甲基乙烯基二氯硅烷、乙烯基二氯 硅烷、乙烯基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、苯 甲基二氯硅烷中的一种或其中的几种组成。

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