[发明专利]D类音频放大器及方法

权利要求书

1.一种D类音频放大器，包括：

调制器电路，接收脉冲宽度调制PWM输入信号和PWM输出信号的反馈信号，提供控制信号；

驱动控制电路，电气耦接到所述调制器电路，产生驱动控制信号，驱动控制信号基于所述控制信号，在每个周期通过选择第一脉冲信号或者第二脉冲信号，补偿PWM输出信号；

开关电路，电气耦接到所述驱动控制电路，响应于所述驱动控制信号切换开关的开通和关断，产生所述的PWM输出信号；和

反馈电路，电气耦接到所述开关电路和所述调制器电路，接收所述PWM输出信号，提供所述PWM输出信号的反馈信号。

2.如权力要求1所述的D类音频放大器，其中所述调制器电路通过量化所述PWM输入信号和所述PWM输出信号的反馈信号之间的平均差值，提供所述控制信号。

3.如权力要求1所述的D类音频放大器，还包括：

输入端，电气耦接到所述调制器电路，接收所述PWM输入信号；

输出端，电气耦接到所述开关电路，输出模拟音频信号。

4.如权力要求1所述的D类音频放大器，还包括：

输出滤波器，电气耦接到所述开关电路，响应于所述PWM输出信号产生所述模拟音频信号。

5.如权力要求1所述的D类音频放大器，还包括：

第一变换器，电气耦接到所述调制器电路，将所述PWM输入信号变换成PWM输入电流信号；

第二变换器，电气耦接到所述开关电路，将所述PWM输出信号变换成PWM输出电流信号。

6.如权力要求4所述的D类音频放大器，其中所述第一变换器还包括第一电阻，所述第二变换器还包括第二电阻。

7.如权力要求3所述的D类音频放大器，还包括：

电位偏移电路，电气耦接在所述输入端和所述调制器电路之间。

8.如权力要求1所述的D类音频放大器，其中所述驱动控制电路还包括：

延迟电路，接收所述PWM输入信号；

第一脉冲宽度调制电路，电气耦接到所述延迟电路，产生脉冲宽度比所述PWM输出信号之脉冲宽度更长的第一脉冲信号；

第二脉冲宽度调制电路，电气耦接到所述延迟电路，产生脉冲宽度比所述PWM输出信号之脉冲宽度更短的第二脉冲信号；

多路选择器，电气耦接到所述第一脉冲宽度调制电路和所述第二脉冲宽度调制电路，选择所述第一脉冲信号或者所述第二脉冲信号；

选择器电路，电气耦接到所述多路选择器和所述调制器电路，基于所述控制信号，控制所述多路选择器电路选择或者所述第一脉冲信号或者所述第二脉冲信号。

9.如权力要求8所述的D类音频放大器，其中所述选择器电路还包括：

反相器，电气耦接到所述延迟电路；和

触发器电路，电气耦接到所述反相器、多路选择器和调制器电路。

10.如权利要求9所述的D类音频放大器，所述反相器的输入端耦接延迟电路，其输出端耦接所述触发器电路的时钟端；所述触发器电路的D输入端耦接调制器电路的输出端，Q输出端耦接所述多路选择器。

11.如权力要求8所述的D类音频放大器，其中所述第一脉冲宽度调制电路还包括或非电路。

12.如权力要求8所述的D类音频放大器，其中所述第二脉冲宽度调制电路还包括与非电路。

13.如权力要求1所述的D类音频放大器，其中所述开关电路还包括以半桥拓扑电气连接在一起的多个MOSFET晶体管。

14.如权力要求13所述的D类音频放大器，其中所述多个MOSFET晶体管还包括高端MOSFET器件和低端MOSFET器件，所述高端MOSFET器件和低端MOSFET器件串联耦接，所述高端MOSFET器件的门极电气耦接到所述驱动控制电路，其漏极电气耦接到第一供电电压，其源极电气耦接到所述低端MOSFET器件的漏极，所述低端MOSFET器件的门极电气耦接到所述驱动控制电路，其源极电气耦接到第二供电电压。

15.如权力要求1所述的D类音频放大器，其中所述开关电路还包括多个以全桥拓扑电气连接在一起的MOSFET晶体管。