[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制作像素结构的方法，其包括：

提供一基板，该基板上具有一晶体管区以及一像素区；

形成至少一栅极电极于该基板上的该晶体管区；

形成一绝缘层于该基板上并覆盖该栅极电极；

形成一图案化半导体层于该绝缘层表面的该晶体管区及该像素区；

在与该栅极电极对应的部分该图案化半导体层上形成一图案化第一保护层；和

将未被该图案化第一保护层覆盖的该图案化半导体层转换为一具有掺杂的半导体层，该具有掺杂的半导体层分别作为一晶体管的一源极和一像素电极，被该图案化第一保护层覆盖的该图案化半导体层作为该源极和该像素电极之间的一沟道。

2.如权利要求1所述的制作像素结构的方法，其特征在于：该图案化半导体层包括铟镓锌氧化物。

3.如权利要求1所述的制作像素结构的方法，其特征在于：将未被该图案化第一保护层覆盖的该图案化半导体层转换为该具有掺杂的半导体层的步骤具体包括：进行一化学气相沉积制造过程于该基板上形成一第二保护层并覆盖该第一保护层、该半导体层及该绝缘层，且在该化学气相沉积制造过程中引入一含有氢原子的气体，使该氢原子植入未覆盖该图案化第一保护层的该半导体层中。

4.如权利要求1所述的制作像素结构的方法，其特征在于：形成一图案化半导体层于该绝缘层表面的该晶体管区及该像素区的步骤具体包括：

形成一半导体层于该绝缘层表面；

覆盖一第一保护层于该半导体层上；

形成一具有不同厚度的第一图案化光致抗蚀剂层于该第一保护层上，其中该第一图案化光致抗蚀剂层的一第一部位设于该晶体管区内，而该第一图案化光致抗蚀剂层的一第二部位设于该像素电极区，且该第一图案化光致抗蚀剂层的该第一部位的厚度大于该第二部位的厚度；

进行一刻蚀制造过程，利用该第一图案化光致抗蚀剂层去除该晶体管区及该像素区以外的该第一保护层及该半导体层，使剩余的该半导体层形成该图案化半导体层；

去除该第一图案化光致抗蚀剂层设于该像素区的该第二部位；

利用该第一图案化光致抗蚀剂层设于该晶体管区的该第一部位去除该晶体管区以外的该第一保护层，以形成该图案化第一保护层并于该晶体管区内的该半导体层中定义出一沟道区；以及

完全去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

5.如权利要求4所述的制作像素结构的方法，其特征在于：利用一半透型光罩形成该具有不同厚度的第一图案化光致抗蚀剂层。

6.如权利要求3所述的制作像素结构的方法，其特征在于：形成该具有掺杂的半导体层后进一步包括：

形成一具有不同厚度的第二图案化光致抗蚀剂层于该第二保护层上并定义出一接触洞区，其中该第二图案化光致抗蚀剂层的一第三部位设于一导线区，而该第二图案化光致抗蚀剂层的一第四部位设于该接触洞区及该导线区以外的该第二保护层上，且该第二图案化光致抗蚀剂层的该第四部位的厚度大于该第三部位的厚度；

利用该第二图案化光致抗蚀剂层去除部分该第二保护层及部分该绝缘层以形成一接触洞；

去除该第二图案化光致抗蚀剂层的该第三部位；

形成一金属层于该第二图案化光致抗蚀剂层上、该第二保护层上及该接触洞中；

去除该第二图案化光致抗蚀剂层及设于该第二图案化光致抗蚀剂层上的该金属层；以及

进行一热处理。

7.一种像素结构，其包括：

一基板，具有一晶体管区以及一像素区；

至少一栅极电极设于该基板上的该晶体管区；

一绝缘层设于该栅极电极与该基板上；以及

一半导体层设于该晶体管区及该像素区的该绝缘层上，其特征在于：该像素区的该半导体层具有掺杂以用来作为一像素电极，部分的该晶体管区的该半导体层具有掺杂以用来作为一源极，另一部分的该晶体管区的该半导体层不具有掺杂以用来作为该源极和该像素电极之间的一沟道。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于：该沟道上设有一第一保护层。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于：还包括设于该第一保护层、该绝缘层及该半导体层上的一第二保护层。

10.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于：该半导体层包括铟镓锌氧化物。