[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

现有的发光二极管封装结构一般包括一个发光二极管芯片，及位于该发光光二极管芯片两外表面的二个电极及用以封装保护该发光二极管芯片及电极的压克力或环氧树脂等胶体材料。

但是，该封装结构的两个电极一般利用金或铜等不透明的金属材料制成，这降低了发光二极管封装结构的出光效率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可提升出光效率的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其中，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的至少两个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。

一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括：

提供一个发光二极管芯片结构，其包括一个基板及一个位于该基板上的发光二极管芯片层；

蚀刻该发光二极管芯片层以形成至少两个发光二极管芯片；

在该至少两个发光二极管芯片的表面形成一个透明的第二碳纳米管薄膜电极层；

去除该基板；

在该至少两个发光二极管芯片的另一个表面形成第一碳纳米管薄膜电极层；及

封装该发光二极管芯片结构。

一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元。其中，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的一个发光二极管芯片以及一个位于该发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。

所述的发光二极管封装结构及其制造方法，通过以碳纳米管薄膜作为电极层，因碳纳米管薄膜具有导电性及透光性，使该发光二极管封装结构提升了出光效率。

附图说明

图1为本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构的截面示意图。

图2为图1的发光二极管封装结构的部分平面示意图。

图3为本发明第一实施方式中碳纳米管薄膜制备方法的装置示意图。

图4为本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。

图5a至图5h为图4中的发光二极管封装结构的制造方法的流程示意图。

图6为本发明第三实施方式提供的一种发光二极管封装结构的截面示意图。

图7为本发明其它实施方式提供的一种发光二极管封装结构的部分平面示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施方式作进一步的详细说明。

请参阅图1及图2，本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构20包括一个封装体22，位于封装体22内的发光单元24。

该封装体22可选用压克力或环氧树脂等材料制成以封装保护该发光单元24不受外部环境侵蚀。

本实施方式中，该发光单元24为发出白光的发光单元，其包括一个光反射层200，一个位于该光射层200上的第一碳纳米管薄膜电极层202，多个呈矩阵排列在该第一碳纳米管薄膜电极层202上的发光二极管芯片204(见图2)，一个位于该多个发光二极管芯片204上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层206及一个位于该第二碳纳米管薄膜电极层206上的荧光层208。

该光反射层200为银反射层，其厚度为20～25微米，其用于将发光二极管芯片204的出射光反射至该发光单元24的出光面24a，以充分利用发光二极管芯片204的出射光，提高光线利用率。

该发光二极管芯片204为蓝光发光二极管芯片，对应地，该荧光层208为混有钇铝石榴石晶体(YAG)荧光粉的光学胶层，如混有YAG荧光粉的环氧树脂等。蓝光发光二极管芯片204所发出蓝光之波长约为400～530纳米，利用蓝光发光二极管芯片204所发出的光线激发YAG荧光粉产生黄色光。然后，蓝色光配合上荧光粉所发出的黄色光，即形成白光。可以理解，在其它实施方式中，该荧光层208可以去除或为混合有其它材料的荧光粉，因此，该发光单元24发出的光为发光二极管芯片204本身的光或与相应的荧光粉激发的光的混合光。