[发明专利]一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法无效
| 申请号： | 200910304439.2 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101613077A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 罗怡;张宗波;王晓东;张彦国;郑英松 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116085辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 掩蔽 制作 微结构 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法，其特征在于：该方法先利用掩蔽层多层制作和套刻技术，将多个掩模版的图形逐层转移到硅片上，在硅微结构腐蚀前，将整个工艺所涉及的光刻步骤全部完成；之后进行湿法腐蚀，利用掩蔽层多层制作和套刻后，不同图形处的掩蔽层厚度不同实现硅微结构的分层腐蚀，先暴露出硅片的部分先腐蚀，得到所需深度后，去除该层图形的掩蔽层，露出第二层图形，重复湿法腐蚀和去除掩蔽层过程，最终获得所需微结构。
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