[发明专利]一种线性电压调节器

权利要求书

1.一种线性电压调节器，其特征在于，包括：

误差放大器，其由一级折叠共源共栅放大器构成，用于比较参考电压(Vref)和结点(NETF)的反馈电压，并产生第一输出电压；

输出放大电路，其包括功率PMOS管和分压电阻，所述功率PMOS管在所述第一输出电压的作用下产生第二输出电压(Vout)，所述分压电阻根据所述第二输出电压(Vout)产生所述结点(NETF)的反馈电压；

频率补偿电路，其包括压控电流源和补偿电容，用于接收所述结点(NETF)的反馈电压和所述第二输出电压(Vout)，并产生与所述输出放大电路的极点相匹配的零点；

所述频率补偿电路包括：

第五NMOS管(Mn5)，其栅极与第二偏置电压(Vb2)相连接，其源极接地；

第六NMOS管(Mn6)，其栅极与第二偏置电压(Vb2)相连接，其源极接地；

第七NMOS管(Mn7)，其栅极与第三偏置电压(Vb3)相连接，其源极与第五NMOS管(Mn5)的漏极相连接；

第八NMOS管(Mn8)，其栅极与第三偏置电压(Vb3)相连接，其源极与第六NMOS管(Mn6)的漏极相连接；

第九NMOS管(Mn9)，其栅极与第二输出电压(Vout)相连接，其源极与第八NMOS管(Mn8)的漏极相连接；

第二电容(C2)，其一端与第八NMOS管(Mn8)的漏极相连接，另一端接地；

第九PMOS管(Mp9)，其栅极与第四偏置电压(Vb4)相连接，其漏极与结点(NETF)的反馈电压以及第七NMOS管(Mn7)的漏极相连接；

第十PMOS管(Mp10)，其栅极与第四偏置电压(Vb4)相连接，其漏极与第九NMOS管(Mn9)的漏极相连接；

第十一PMOS管(Mp11)，其栅极与第十PMOS管(Mp10)的漏极相连接，漏极与第九PMOS管(Mp9)的源极相连接，其源极与电源电压(VDD)相连接；

第十二PMOS管(Mp12)，其栅极与第十PMOS管(Mp10)的漏极相连接，其漏极与第十PMOS管(Mp10)的源极相连接，其源极与电源电压(VDD)相连接。。

2.根据权利要求1所述的线性电压调节器，其特征在于，所述误差放大器包括：

第一PMOS管(Mp1)，其栅极与第一偏置电压(Vb1)相连接，源极与电源电压(VDD)相连接；

第二PMOS管(Mp2)，其源极与所述第一PMOS管(Mp1)的漏极相连接，其栅极与所述结点(NETF)连接；

第三PMOS管(Mp3)，其源极与所述第一PMOS管(Mp1)的漏极相连接，其栅极与参考电压(Vref)相连接；

第四PMOS管(Mp4)，其源极与所述电源电压(VDD)相连接；

第五PMOS管(Mp5)，其源极与所述电源电压(VDD)相连接；

第六PMOS管(Mp6)，其源极与所述第四PMOS管(Mp4)的漏极相连接，其栅极与第四偏置电压(Vb4)相连接，其漏极分别与所述第四PMOS管(Mp4)的栅极和所述第五PMOS管(Mp5)的栅极相连接；

第七PMOS管(Mp7)，其源极与所述第五PMOS管(Mp5)的漏极相连接，其栅极与所述第四偏置电压(Vb4)相连接；

第一NMOS管(Mn1)，其源极接地，其栅极与第二偏置电压(Vb2)相连接，其漏极与所述第二PMOS管(Mp2)的漏极相连接；

第二NMOS管(Mn2)，其源极接地，其栅极与所述第二偏置电压(Vb2)相连接，其漏极与所述第三PMOS管(Mp3)的漏极相连接；

第三NMOS管(Mn3)，其源极与所述第一NMOS管(Mn1)的漏极相连接，栅极与第三偏置电压(Vb3)相连接，其漏极与所述第六PMOS管(Mp6)的漏极相连接；

第四NMOS管(Mn4)，其源极与所述第二NMOS管(Mn2)的漏极相连接，其栅极与所述第三偏置电压(Vb3)相连接，其漏极与所述第七PMOS管(Mp7)的漏极相连接；

所述第七PMOS管(Mp7)的漏极和所述第四NMOS管(Mn4)的漏极相连接，并产生所述误差放大器的第一输出电压，用于控制所述输出放大电路。