[发明专利]背面照度影像感测器的制造方法无效
| 申请号： | 200910302478.9 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101894797A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张仁淙 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/20;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 照度 影像 感测器 制造 方法 | ||
1.一种背面照度影像感测器的制造方法，其包括：
提供一个基板，其包括相对的前表面和后表面；
在该基板前表面上形成呈阵列排布的多个凹槽；
在该基板前表面上设置一光学材料，使其填充入该多个凹槽，并形成一具有一微透镜阵列的透光薄膜层；
在该透光薄膜层背离该基板的表面上粘合或外延生长一硅层；
在该硅层上形成影像感测单元阵列及电路，该影像感测单元阵列与该微透镜阵列对应；
从该基板后表面通过蚀刻去除该基板露出该透光薄膜层具有该微透镜阵列的表面以形成背面照度影像感测器。
2.如权利要求1所述的背面照度影像感测器的制造方法，其特征在于：采用化学气相沉积法或者等离子体增强化学气相沉积法形成该透光薄膜层。
3.如权利要求1所述的背面照度影像感测器的制造方法，其特征在于：采用化学机械抛光方法将该透光薄膜层进行抛光处理。
4.如权利要求3所述的背面照度影像感测器的制造方法，其特征在于：在粘合或外延生长硅层之前在透光薄膜层上形成彩色滤光片
5.如权利要求4所述的背面照度影像感测器的制造方法，其特征在于：所述基板的材料为硅晶体、锗、钻石、碳化硅、镓砷、或磷化铟。
6.如权利要求5所述的背面照度影像感测器的制造方法，其特征在于：所述透光薄膜层的光学材料为二氧化硅、硼硅或者磷硅。
7.一种背面照度影像感测器的制造方法，其包括：
提供一个由硅组成的基板，其包括相对的前表面和后表面；
在该基板前表面上形成呈阵列排布的多个凹槽；
采用化学气相沉积法或者等离子体增强化学气相沉积法在该基板前表面形成一透光薄膜层，并使该透光薄膜层面对与该基板的表面形成有多个微透镜，其中该多个微透镜与该多个凹槽相对应；
在该透光薄膜层背离该基板的表面通过粘合或外延生长形成一硅层；
在该硅层上形成多个影像感测单元及电路，其中该多个影像感测单元与该多个微透镜相对应；
去除该基板，露出该透光薄膜层的多个微透镜，以使光可经由该多个微透镜到达该多个影像感测单元。
8.如权利要求7所述的背面照度影像感测器的制造方法，其特征在于：该透光薄膜层的材料为二氧化硅、硼硅或者磷硅。
9.如权利要求8所述的背面照度影像感测器的制造方法，其特征在于：该制造方法进一步包括在形成该硅层之前，采用化学机械抛光方法对该透光薄膜层进行抛光处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
