[发明专利]一种微波调谐复合陶瓷材料及其制备方法无效
申请号: | 200910273310.X | 申请日: | 2009-12-18 |
公开(公告)号: | CN101723653A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 徐业彬;刘婷;何艳艳 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C04B35/20 | 分类号: | C04B35/20;C04B35/465;C04B35/64 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 调谐 复合 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于微波陶瓷材料技术,具体涉及一种BaZrxTi1-xO3-MgO-Mg2SiO4微波调谐复合陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
可调滤波器,延迟线,移相器,振荡器,共振器及相控阵天线等微波器件是微波通信领域的重要器件,但太高的成本限制了其广泛的商业应用。低成本调谐技术将引起微波元件及天线工业的革命。
微波调谐材料的介电常数可随外加电压改变。应用于微波通讯领域,可通过外加电压改变元件的工作频率,如可让一个滤波器产生频率跳跃,这对未来的宽带通讯非常重要,因为这样可实现几个用户在一个共同频率范围传输和接受信号。新型微波调谐材料可大大降低相控阵天线的成本,将使相控阵天线的应用由目前的军用扩展至民用。相控阵天线的速度,精度及可靠性均比相应的机械操纵天线高。
微波调谐材料可用于制造移相器。目前的移相器主要是铁氧体移相器和半导体二极管移相器。但在高频下,PIN二极管存在损耗大,功率低,需要逻辑电路控制相位移动,不能连续调谐等缺点;铁氧体在3GHz以上损耗低,功率大,但其调谐电路的价格昂贵,且体积大,笨重,功耗大,仅用于军事领域,另外,铁氧体在1-2GHz时的损耗比在10GHz时大,不适用于蜂窝电话及个人通讯服务。铁氧体移相器很难制成平面结构。
电场控制的微波调谐材料主要是钙钛矿结构的铁电材料,以钛酸锶钡(Ba,Sr)TiO3及其复合物研究最多。锆钛酸钡BaZrxTi1-xO3(BZT)具有高调谐率,同时,Zr4+比Ti4+在化学上更加稳定,而且BaZrxTi1-xO3在顺电相的温度稳定性优于(Ba,Sr)TiO3。锆钛酸钡的介电常数太高,微波介电损耗高,需要对材料进行改进。另外,太大的介电常数会导致太大的插入损耗,与电路匹配困难。因此,如何获得具有适中的介电常数,较高调谐率的锆钛酸钡是一个技术难点。
发明内容
本发明是为了克服现有技术的不足,提供一种微波调谐复合陶瓷材料,该该材料介电常数适中,介电损耗低,调谐率高,尤其适用于微波调谐元件;本发明还提供了该材料的制备方法。
为实现上述发明目的,本发明提供的微波调谐复合陶瓷材料,由BaZrxTi1-xO3和混合物构成,其中,BaZrxTi1-xO3的质量百分比为30-95%,x=0.1-0.50,所述混合物由Mg2SiO4和MgO构成,其中,Mg2SiO4在混合物中的质量百分比含量为1-99%。
上述的微波调谐复合陶瓷材料的制备方法,包括下述步骤:
(1)配制BaZrxTi1-xO3和Mg2SiO4粉体
以粉末状的BaCO3、ZrO2和TiO2按比例混合作为一组原料,以粉末状的SiO2和MgO按比例混合作为另一组原料,将二组原料分别湿法球磨6-24小时,然后出料、烘干,再在1000℃-1300℃范围内预烧2-6小时,分别得到BaZrxTi1-xO3和Mg2SiO4粉体;
(2)按照配比在BaZrxTi1-xO3粉体中掺入粉未状的Mg2SiO4和MgO,湿法球磨6-24小时后烘干;
(3)在烘干后的材料中加入3-8wt%的聚乙烯醇(PVA)造粒,再压制成型生坯;
(4)将生坯加热升温到400-800℃,升温速度小于等于30℃/分钟,然后保温2-4小时,排除生坯中的有机物质;
(5)在1200℃-1400℃范围内烧结,再保温2-4小时,得到微波调谐复合陶瓷材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910273310.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。