[发明专利]一种三频段低温共烧陶瓷手机天线有效
申请号: | 200910273244.6 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN101710642A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 龚树萍;胡云香;周东祥;傅邱云;郑志平;刘欢;曲景润 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q5/01 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 频段 低温 陶瓷 手机 天线 | ||
1.一种三频段低温共烧陶瓷手机天线,其特征在于:它包括第一层辐 射单元(1)、第二层辐射单元(2)、金属过孔(3)、调谐枝节(4)、低温 共烧陶瓷基板(5)和接地终端(6);
低温共烧陶瓷基板(5)的介电常数范围为2~50,第一层辐射单元(1) 和第二层辐射单元(2)分别是成矩形波形弯折的金属导体线,均埋置在低 温共烧陶瓷基板(5)中,且第二层辐射单元(2)位于第一层辐射单元(1) 上方,并通过金属过孔(3)连接;令低温共烧陶瓷基板(5)的宽度方向 为x方向,长度方向为y方向,第一层辐射单元(1)的y方向各个间隙中 均增加调谐枝节(4),第二层辐射单元(2)的电长度小于第一层辐射单元 (1)的电长度,第二层辐射单元(2)的y方向曲折线间距d2大于第一层 辐射单元(1)的y方向曲折线间距d1;
低温共烧陶瓷基板(5)的长度范围为1~50mm,宽度范围为1~50mm, 厚度范围为0.02~10mm;
第一层辐射单元(1)的y方向间距d1的长度范围为0.1~5mm,第二 层辐射单元(2)的y方向间距d2的长度范围为0.1~5mm,金属导体线宽 度d的长度范围为0.01~5mm,金属过孔(3)的直径范围为0.05~1mm,高 度范围为0.05~5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910273244.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。