[发明专利]球形二氧化硅的制备方法无效
| 申请号: | 200910273156.6 | 申请日: | 2009-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN101708854A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
| 发明(设计)人: | 袁良杰;袁学政;袁华锋 | 申请(专利权)人: | 武汉大学;武汉帅尔光电子新材料有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/12 | 分类号: | C01B33/12 |
| 代理公司: | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人: | 程祥;冯卫平 |
| 地址: | 430072*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 球形 二氧化硅 制备 方法 | ||
1.一种制备球形二氧化硅的方法,其特征在于:将速溶硅酸钾或硅酸钠固体粉末通过高压气体喷射到不断循环的无机酸中,控制喷射循环时间30~100min,得到反应混合物,然后静置陈化后分离得到产物;用纯净水洗涤产物至pH 5~7后烘干,对烘干后的产物经过表面处理得到球形二氧化硅;所述的速溶固体硅酸钾或硅酸钠粉末粒径25~1微米。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的无机酸浓度为1~20wt%。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述无机酸为硫酸。
4.根据权利要求1或2或3所述的制备方法,其特征在于:所述的静置陈化时间10~600min。
5.根据权利要求1或2或3所述的制备方法,其特征在于:所述的表面处理为加热表面处理或化学表面处理。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述的加热表面处理为对烘干后的产物在500~1200℃加热30~120分钟。
7.根据权利要求1或2或3所述的制备方法,其特征在于:用纯净水洗涤产物的水洗温度为25~100℃。
8.根据权利要求1或2或3所述的制备方法,其特征在于:烘干温度为120至500℃;烘干时间30~120分钟。
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