[发明专利]闪存器及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存器，包括：

浮置栅极，其位于半导体衬底上；

选择栅极，其自对准地位于所述浮置栅极的一侧壁上；以及

ONO图案，其插入所述浮置栅极和所述选择栅极之间。

2.根据权利要求1所述的闪存器，还包括通道氧化物层，其插入所述浮置栅极和所述选择栅极的下表面与所述半导体衬底之间。

3.根据权利要求1所述的闪存器，还包括硬掩模，其位于所述浮置栅极的上表面上。

4.根据权利要求1所述的闪存器，还包括栅极间隔件，其形成在与所述浮置栅极的所述一侧壁相对的侧壁上并且形成在所述选择栅极的一侧壁上。

5.根据权利要求1所述的闪存器，还包括：

源极区，其位于与所述浮置栅极的所述一侧壁相对的所述浮置栅极的一侧附近的所述半导体衬底中；以及

漏极区，其位于与所述浮置栅极相对的一侧的所述选择栅极附近的所述半导体衬底中。

6.一种闪存器的制造方法，该方法包括：

在半导体衬底上形成浮置栅极，并在所述浮置栅极上形成硬掩模；

在所述浮置栅极和所述硬掩模的侧壁上形成ONO图案；

在所述浮置栅极和所述硬掩模的侧壁上的所述ONO图案上形成多晶硅图案；以及

通过去除所述多晶硅图案的一部分形成选择栅极。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底上形成绝缘层；

通过对所述绝缘层执行回蚀刻工艺，在所述选择栅极的一侧和所述浮置栅极的一侧形成栅极间隔件；以及

在形成所述选择栅极之后，通过向所述半导体衬底中注入杂质，在所述浮置栅极的附近形成源极区并且在所述选择栅极的附近形成漏极区。

8.一种闪存器，包括：

多条字线，其包括在一个方向上对准的选择栅极；

多个浮置栅极，其沿着所述字线的每一条的一侧以预定距离彼此间隔开；

源极区，其形成在沿着每条字线布置的所述多条浮置栅极的一侧；以及

漏极区，其在与布置所述浮置栅极时所沿着的所述一侧相对的一侧，沿着每个字线被和源极相对地形成。

9.根据权利要求8所述的闪存器，其中所述多条字线排列在所述源极区的两侧处和所述漏极区的两侧处，其中位于所述源极区两侧处的所述多条字线彼此的间隔小于位于所述漏极区两侧处的所述多条字线彼此的间隔。

10.一种闪存器的制造方法，该方法包括：

形成彼此间隔预定距离的浮置栅极；

形成围绕所述浮置栅极的侧边的ONO图案；

形成字线，其包括沿着所述浮置栅极的每一个的侧壁的在一个方向上排列的选择栅极，同时所述浮置栅极彼此连接；以及

在每个浮置栅极的一侧形成源极区，并且在与所述源极区相对的字线的一侧形成漏极区。