[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 200910265417.X 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101750826A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 柳智忠 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L29/786;H01L29/417
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 丁建春;陈华
地址: 518100 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,其特征在于:该像素结构包括:

一扫描线以及一数据线,彼此交错并且电绝缘;

一栅极,电连接至该扫描线;

一半导体图案,位于该栅极上方;

一源极,至少部分位于该半导体图案上并连接至该数据线;

一漏极,至少部分位于该半导体图案上;以及

一像素电极,电连接该漏极;

其中,该漏极包括:

一梳型部,环绕该源极,该梳型部具有至少两分支,该分支中的至少一个延伸至该栅极之外以定义出位于该栅极之外的至少一凸出部;

一连接部,由该梳型部延伸至该栅极外,且该凸出部与该连接部分别位于该栅极的相对两侧,其中该凸出部与该栅极边界切齐处具有一第一宽度,该连接部与该栅极边界切齐处具有一第二宽度,该第一宽度等于该第二宽度。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该分支中的一个延伸至该栅极之外,而另一个完全地位于该栅极所在区域中以使该至少一凸出部的数量为一。

3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:该源极位于该凸出部与该扫描线之间。

4.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:该凸出部位于该源极与该扫描线之间。

5.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:该第一宽度等于该凸出部的宽度。

6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该分支中的两个延伸至该栅极之外以使该至少一凸出部的数量为二。

7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于:该第一宽度为该两凸出部的宽度总和。

8.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于:该两凸出部的宽度相等。

9.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于:该两凸出部的宽度不同。

10.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该连接部具有一接触部,位于该连接部远离该梳型部的一端且该像素电极接触该接触部。

11.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该梳型部由该至少两分支以及一条状底部所构成,该至少两分支由该条状底部向一方向凸出,而该连接部连接于该条状底部并由该条状底部背离该方向凸出。

12.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该连接部与该栅极部分重叠。

13.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该梳型部与该连接部构成一叉状图案。

14.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该漏极为一体成型。

15.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该源极与该数据线为一体成型。

16.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该栅极位于该扫描线之外并与该扫描线为一体成型。

17.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:该分支平行于该数据线。

18.根据权利要求17所述的像素结构,其特征在于:该扫描线的一部分构成该栅极。

19.根据权利要求17所述的像素结构,其特征在于:该凸出部与该连接部分别位于该扫描线的相对两侧。

20.一种像素结构,其特征在于:该像素结构包括:

一扫描线以及一数据线,彼此交错并且电绝缘;

一栅极,电连接至该扫描线;

一半导体图案,位于该栅极上方;

一源极,至少部分位于该半导体图案上并连接至该数据线;

一漏极,至少部分位于该半导体图案上;以及

一像素电极,电连接该漏极;

其中,该漏极包括:

一梳型部,环绕该源极,该梳型部具有至少两分支,该分支中的至少一个为折曲状并具有一第一平行部、一斜向部以及一第二平行部,该斜向部连接该第一平行部以及该第二平行部,且该第二平行部凸出于该栅极之外以定义出至少一凸出部;

一连接部,由该梳型部延伸至该栅极外,且该凸出部与该连接部分别位于该栅极的相对两侧,其中该凸出部与该栅极边界切齐处具有一第一宽度,该连接部与该栅极边界切齐处具有一第二宽度,该第一宽度等于该第二宽度。

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