[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200910265290.1 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101770939A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金瓘河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种方法，包括如下步骤：
在晶片的背面执行研磨工艺；
在执行所述研磨工艺之后，顺序地执行第一等离子体工艺和快速热工艺；
在执行所述快速热工艺之后，执行第二等离子体工艺；以及
在执行所述第二等离子体工艺之后，执行金属薄膜工艺。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一等离子体工艺使用氢气。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一等离子体工艺产生硅烷气体。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一等离子体工艺产生乙硅烷气体。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二等离子体工艺是通过氮溅射执行的。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二等离子体工艺在所述晶片的背面上产生硅氮化物膜。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二等离子体工艺在所述晶片的背面上产生硅氧氮化物膜。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属薄膜工艺包括钛形成工艺和铝形成工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910265290.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：刚柔结合的组件和制造方法
- 下一篇：具有凸轮旋转延迟功能的断路器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
