[发明专利]一种基于SOI基底的反熔丝单元结构及制备工艺有效

申请号：	200910264969.9	申请日：	2009-12-15
公开（公告）号：	CN101740569A	公开（公告）日：	2010-06-16
发明（设计）人：	洪根深;肖志强;高向东	申请（专利权）人：	无锡中微晶园电子有限公司
主分类号：	H01L27/088	分类号：	H01L27/088;H01L23/525;H01L23/552;H01L21/84;H01L21/768
代理公司：	无锡市大为专利商标事务所 32104	代理人：	曹祖良
地址：	214028 江苏省无锡市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种基于 soi 基底反熔丝单元结构制备工艺
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【权利要求书】：

1.一种反熔丝结构，包括体硅衬底(100)及位于体硅衬底(100)上的二氧化硅埋层(101)，其特征是：所述二氧化硅埋层(101)上至少布置一个MOSFET 阱区(109)及至少一个反熔丝下极板(110)，所述MOSFET阱区(109)与反熔丝下极板(110)利用二氧化硅间隔层(107)相间隔；所述MOSFET阱区(109) 及反熔丝下极板(110)上均生长有第一二氧化硅层(111)，所述第一二氧化硅层(111)上设置有第一氮化硅层(112)，所述第一氮化硅层(112)上热氧化生长有第二二氧化硅层(113)，所述第一二氧化硅层(111)、第一氮化硅层(112) 及第二二氧化硅层(113)作为MOSFET的栅介质的高阻介质，所述第一二氧化硅层(111)、第一氮化硅层(112)及第二二氧化硅层(113)同时又作为反熔丝的高阻介质；所述第二二氧化硅层(113)上依次布置有多晶硅层(114)及硅化物层(115)；所述MOSFET阱区(109)上对应的多晶硅层(114)与硅化物层(115)作为MOSFET的栅极(116)，所述反熔丝下极板(110)上对应的多晶硅层(114)与硅化物层(115)作为反熔丝的上极板(117)；所述MOSFET 阱区(109)上设置有MOSFET的源极(118)与漏极(119)。

2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征是：所述硅化物层(115) 为WSi或TiSi。

3.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征是：所述二氧化硅埋层(101) 的厚度为50～3000nm。

4.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征是：所述第一二氧化硅层(111) 的厚度为2～20nm。

5.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征是：所述第一二氧化硅层(111) 上通过淀积或N₂下退火形成氮化硅层(112)，所述氮化硅层(112)的厚度为 8～15nm。

6.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征是：所述第二二氧化硅层(113) 的厚度为2～5nm。

7.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征是：所述多晶硅层(114) 的厚度为150～350nm。

8.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征是：所述硅化物层(115) 的厚度为50～200nm。

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