[发明专利]叠层亚波长减反结构及其制备方法

权利要求书

1.叠层亚波长减反结构，其结构图形根据所用材料的折射率分布和所要 减反的入射光波长和角度范围计算得到，其特征在于：所述叠层亚波长减反结 构包括两部分：其中一部分是在需要减反的、由高折射率材料构成的衬底表面 通过蚀刻形成的亚波长图形；另一部分是在前述亚波长图形表面经沉积生长的 介质层，二者整合构成叠层亚波长减反结构；其中所述高折射率材料为折射率 2.6以上的界面材料，所述亚波长图形为可构成折射率渐变的图形，包括金字 塔形或楔形的亚波长减反结构。

2.根据权利要求1所述的叠层亚波长减反结构，其特征在于：所述介质 层为均匀的单层介质膜、多层介质膜，或渐变折射率的介质膜，又或介质材料 纳米结构，其介质层的材料根据所需减反的材料的折射率来确定。

3.权利要求1所述叠层亚波长减反结构的制备方法，其特征步骤包括：

I、根据所要减反的入射光波长和角度范围计算设计叠层亚波长结构，包 括所需减反的高折射率材料上蚀刻的亚波长图形及沉积形成的介质层亚波长图 形；

II、在所需减反的高折射率材料上形成亚波长结构图形掩膜，并通过蚀刻 在衬底上形成具有对应深宽比的亚波长图形；

III、去除掩膜并洗净该具有亚波长图形的高折射率衬底材料；

IV、在衬底亚波长图形上顺势生长介质层，所述介质膜材料和形状结构按 照步骤I模拟计算得到。

4.根据权利要求3所述的叠层亚波长减反结构的制备方法，其特征在 于：步骤II中所述形成图形掩膜的方法包括电子束曝光、相干光刻及自组装， 且其中的蚀刻方法包括反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀、电子回旋共振 刻蚀以及湿法刻蚀。

5.根据权利要求3所述的叠层亚波长减反结构的制备方法，其特征在 于：步骤IV中所述介质膜生长的方式包括磁控溅射、脉冲激光沉积、热蒸发、 电子束蒸发、原子层沉积，以及等离子体化学气相沉积和自组装。