[发明专利]一种新型结构的大功率氮化镓基LED

权利要求书

1.一种新型结构的大功率氮化镓基的发光二极管，包括：

衬底、N型氮化镓层、氮化铝镓阻挡层、氮化铟镓/氮化镓多量子阱有源层、P型氮化镓层、P⁺-氮化铟镓导电层、氧化铟钛电极层、二氧化硅钝化层、P电极和N电极，其特征在于，其中，所述氮化铝镓阻挡层为空穴阻挡层；所述氮化铟镓/氮化镓多量子阱有源层为非对称多量子阱有源层，所述非对称多量子阱有源层中阱宽大小自下而上逐渐减小；所述N型氮化镓层呈高低台阶状，具有高台面和低台面；所述N电极设置在N型氮化镓层的低台面上；所述P电极设置在氧化铟钛电极层中间；

所述大功率氮化镓基的发光二极管自下而上的结构为：衬底、设置在衬底上的N型氮化镓层、设置在N型氮化镓层的高台面上的氮化铝镓空穴阻挡层、设置在空穴阻挡层上的非对称多量子阱有源层、设置在非对称多量子阱有源层上的P型氮化镓层、设置在P型氮化镓层上的P⁺-氮化铟镓导电层、设置在P⁺-氮化铟镓导电层上的氧化铟钛电极层；

所述二氧化硅钝化层设置在整个发光二极管的顶表面和侧表面上。

2.根据权利要求1所述的大功率氮化镓基的发光二极管，其特征在于，氮化铝镓阻挡层为空穴阻挡层，位于N型氮化镓层之上，氮化铟镓/氮化镓多量子阱有源层之下。

3.根据权利要求1所述的大功率氮化镓基的发光二极管，其特征在于，氮化铝镓阻挡层选自：不掺杂或者低浓度n型掺杂的氮化铝镓层。

4.根据权利要求1所述的大功率氮化镓基的发光二极管，其特征在于，所述氮化铟镓/氮化镓多量子阱有源层采用非对称多层结构，阱宽自下而上由3nm到2nm逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的大功率氮化镓基的发光二极管，其特征在于，所述氮化铟镓/氮化镓多量子有源层为3-5个量子阱。

6.根据权利要求1所述的大功率氮化镓基的发光二极管，其特征在于，P⁺-氮化铟镓导电层位于P型氮化镓层上面，所述P⁺-氮化铟镓导电层高浓度p型掺杂，厚度为5-10nm。

7.根据权利要求1所述的大功率氮化镓基的发光二极管，其特征在于，p型电极层采用氧化铟钛电极层与P⁺-氮化铟镓导电层接触。

8.根据权利要求1所述的大功率氮化镓基的发光二极管，其特征在于，二氧化硅钝化层设置在氧化铟钛电极层的表面、N型氮化镓层的低台面以及氧化铟钛电极层、P⁺-氮化铟镓导电层、P型氮化镓层、非对称多量子阱有源层、氮化铝镓空穴阻挡层的侧面。