[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法，其特征在于它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂，并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀，在硅片正表面其它区域形成轻掺杂，从而获得选择性发射极结构。

2.根据权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法，其特征在于它的制备步骤：一、硅片表面织构化，二、高温扩散进行重掺杂，三、去除周边或背面PN结，四、去除磷硅玻璃，五、丝网印刷背面电极及背面铝浆料并烘干，六、丝网印刷正面银电极，七、电极共烧结，八、以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀而在硅片正表面其它区域获得轻掺杂，九、镀减反射膜。

3.根据权利要求1所述的一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法，其特征在于所述的以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀而在硅片正表面其它区域获得轻掺杂是指以正表面电极为阻挡反应的掩膜，采用能够腐蚀硅片但不腐蚀金属的腐蚀体系，将硅片表面选择性地腐蚀掉很薄的一层，但不腐蚀金属电极，从而在硅片表面其它区域形成轻掺杂。