[发明专利]沉积设备及衬底制造方法

权利要求书

1.一种沉积设备，包括：真空室；等离子体枪，其适于将等离子体发射到容纳在所述真空室中的沉积材料上；和放电气体供应单元，其适于将放电气体供应到所述等离子体枪，所述沉积设备包括：

质量流控制器，其适于改变放电气体的流量；以及

控制电路，所述控制电路连接至所述质量流控制器，并且适于基于预定设置通过所述质量流控制器来控制流量的变化。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

放电阻抗测量单元，其适于测量所述等离子体枪的放电阻抗，

其中，所述放电阻抗测量单元连接至所述控制电路，并且基于放电阻抗测量结果来改变放电气体的流量。

3.一种制造衬底的方法，在所述衬底上通过用等离子体照射放置在真空室中的沉积材料而沉积所述沉积材料，所述等离子体由供应有放电气体的等离子体枪发射，所述方法包括以下步骤：

在所述沉积材料的沉积期间改变供应至所述等离子体枪的放电气体的流量。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

在改变步骤中，每隔预设时间逐渐地降低所述放电气体的流量。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，

在改变步骤中，持续地降低所述放电气体的流量。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，

在改变步骤中，如果测量到的放电阻抗值低于预设的放电阻抗值，则降低所述放电气体的流量，而如果测量到的放电阻抗值高于预设的放电阻抗值，则升高所述放电气体的流量。