[发明专利]驱动电路及半导体装置

权利要求书

1.一种逻辑电路，包括：

将第一金属氧化物半导体层用作电阻成分的电阻元件；

将氢浓度比所述第一金属氧化物半导体层的氢浓度低的第二金属氧化物 半导体层用作沟道形成区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电连接于所述电阻元 件；

设置在所述第二金属氧化物半导体层上的氧化硅层；以及

设置在所述第一金属氧化物半导体层以及所述氧化硅层上的氮化硅层，

其中所述第一金属氧化物半导体层和所述第二金属氧化物半导体层包含 由InMO₃(ZnO)_m表示的化合物，且

其中M表示选自镓、铁、镍、锰及钴中的一种或多种金属元素，且m>0。

2.根据权利要求1所述的逻辑电路，还包括：

接触于所述电阻元件的一方的端子或另一方的端子以及所述第一金属氧 化物半导体层的第三金属氧化物半导体层；

接触于所述薄膜晶体管的第一端子以及所述第二金属氧化物半导体层的 第四金属氧化物半导体层；以及

接触于所述薄膜晶体管的第二端子以及所述第二金属氧化物半导体层的 第五金属氧化物半导体层，

其中所述第三金属氧化物半导体层至所述第五金属氧化物半导体层中各 层的电阻值比所述第二金属氧化物半导体层的电阻值低，

其中所述第三金属氧化物半导体层、所述第四金属氧化物半导体层和所述 第五金属氧化物半导体层包含由InMO₃(ZnO)_m表示的化合物，且

其中M表示选自镓、铁、镍、锰及钴中的一种或多种金属元素，且m>0。

3.根据权利要求2所述的逻辑电路，其中所述第三金属氧化物半导体层至 所述第五金属氧化物半导体层中各层所含有的氮相对于氧的比率为0.1至0.5。

4.根据权利要求1所述的逻辑电路，

其中所述电阻元件的一方的端子电连接到高电源电位线，

并且所述薄膜晶体管的第一端子电连接到所述电阻元件的另一方的端子， 且所述薄膜晶体管的第二端子电连接到低电源电位线。

5.一种逻辑电路，包括：

将含有高浓度的氮的第一金属氧化物半导体层用作电阻成分的电阻元件； 以及

将氢浓度比所述第一金属氧化物半导体层的氢浓度低并含有高浓度的氮 的第二金属氧化物半导体层用作沟道形成区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电 连接于所述电阻元件，

其中所述第一金属氧化物半导体层以及所述第二金属氧化物半导体层中 的每个所含有的氮相对于氧的比率为0.1至0.5，

其中所述第一金属氧化物半导体层和所述第二金属氧化物半导体层包含 由InMO₃(ZnO)_m表示的化合物，且

其中M表示选自镓、铁、镍、锰及钴中的一种或多种金属元素，且m>0。

6.根据权利要求5所述的逻辑电路，还包括：

设置在所述第二金属氧化物半导体层上的氧化硅层；以及

设置在所述第一金属氧化物半导体层以及所述氧化硅层上的氮化硅层。

7.根据权利要求5所述的逻辑电路，

其中所述电阻元件的一方的端子电连接到高电源电位线，

并且所述薄膜晶体管的第一端子电连接到所述电阻元件的另一方的端子， 且所述薄膜晶体管的第二端子电连接到低电源电位线。

8.一种包括权利要求1所述的逻辑电路的半导体装置。

9.一种包括权利要求5所述的逻辑电路的半导体装置。