[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在绝缘表面上形成第一栅电极和第二栅电极；

在所述第一栅电极和所述第二栅电极上形成绝缘层；

在所述第一栅电极上隔着所述绝缘层形成金属薄膜，其中所述金属薄膜不 与所述第二栅电极交迭；

在所述第一栅电极上形成第一氧化物半导体层；

在所述第二栅电极上形成第二氧化物半导体层；以及通过在形成所述第一 氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层之后对所述金属薄膜的至少一部 分执行氧化处理，来形成第三氧化物半导体层。

2.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述氧化处理是在含氧气的气氛以及氮气气氛中的任一种下执行的热处 理。

3.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层都包含铟、镓以及锌 中的至少一种。

4.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述金属薄膜包含铟、锌、锡、钼以及钨中的至少一种。

5.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述第一氧化物半导体层中包含的至少一种元素与所述金属薄膜中包含 的元素相同。

6.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

通过溅射法、真空汽相沉积法和涂覆法中的任一种方法形成所述金属薄 膜。

7.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述第一氧化物半导体层的厚度为30nm到150nm，该厚度含30nm和 150nm。

8.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述金属薄膜的厚度小于所述第一氧化物半导体层的厚度。

9.一种用于制造包括在衬底上的矩阵电路和用于驱动所述矩阵电路的驱 动器电路的半导体器件的方法，包括：

在所述衬底上在矩阵电路区和驱动器电路区内形成金属薄膜；

通过蚀刻从所述矩阵电路区去除所述金属薄膜；

在所述驱动器电路区中的所述金属薄膜上和所述矩阵电路区中的所述衬 底上形成第一氧化物半导体层；以及

在形成所述第一氧化物半导体层之后，通过对所述金属薄膜执行氧化处理 来形成第二氧化物半导体层，

其中第一薄膜晶体管包括所述驱动器电路区中的所述第一氧化物半导体 层和所述第二氧化物半导体层的叠层，以及

其中第二薄膜晶体管包括所述矩阵电路区中的第三氧化物半导体层。

10.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述氧化处理是在含氧气的气氛以及氮气气氛中的任一种下执行的热处 理。

11.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述第一氧化物半导体层包含铟、镓以及锌中的至少一种。

12.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述金属薄膜包含铟、锌、锡、钼以及钨中的至少一种。

13.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述第二氧化物半导体层中包含的至少一种元素与所述金属薄膜中包含 的元素相同。

14.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

通过溅射法、真空汽相沉积法和涂覆法中的任一种方法形成所述金属薄 膜。

15.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，

所述第一氧化物半导体层的厚度为30nm到150nm，该厚度含30nm和 150nm。