[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，包括：

隔离区和像素区，位于第一衬底的前侧；

光电探测器和读出电路，位于所述像素区上；

层间介电层和金属线，位于所述第一衬底的前侧；

第二衬底，被接合到形成有所述金属线的所述第一衬底的前侧；

像素分隔离子注入层，在所述第一衬底的背侧位于所述隔离区上；以及

微透镜，在所述第一衬底的背侧位于所述光电探测器上。

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其中所述像素分隔离子注入层包括P型离子注入区。

3.如权利要求1所述的背照式图像传感器，还包括焊盘，位于所述第一衬底的前侧，所述焊盘通过所述第一衬底的背侧而露出。

4.如权利要求1所述的背照式图像传感器，还包括绝缘层，介于所述第一衬底的前侧与所述第二衬底之间。

5.一种制造背照式图像传感器的方法，所述方法包括以下步骤：

通过在第一衬底的前侧的整个区域上方注入离子，形成离子注入层；

通过在所述第一衬底的前侧形成隔离区，限定像素区；

在所述像素区上形成光电探测器和读出电路；

在所述第一衬底的前侧形成层间介电层和金属线；

将第二衬底接合到形成有所述金属线的所述第一衬底的前侧；

去除由所述离子注入层限定的所述第一衬底的下部；

在去除所述第一衬底的下部之后，在所述第一衬底的背侧于所述隔离区上形成像素分隔离子注入层；以及

在所述第一衬底的背侧于所述光电探测器上形成微透镜。

6.如权利要求5所述的方法，其中形成像素分隔离子注入层的步骤包括：将离子注入所述第一衬底的背侧中，使得所述像素分隔离子注入层从所述第一衬底的背侧的表面延伸到所述隔离区。

7.如权利要求5所述的方法，其中形成像素分隔离子注入层的步骤包括：在所述隔离区上形成P型离子注入区。

8.如权利要求5所述的方法，其中形成离子注入层的步骤包括：注入氢离子或氦离子。

9.如权利要求5所述的方法，其中形成离子注入层的步骤通过所述第一衬底的前侧注入离子，使得所述离子注入层以预定深度形成在所述第一衬底的前侧的整个区域上方。

10.如权利要求5所述的方法，其中去除所述第一衬底的下部的步骤包括：通过使用所述离子注入层，在所述第一衬底的与所述第一衬底的前侧相对的一侧去除所述第一衬底的一部分。