[发明专利]相变存储器单元及形成的方法

权利要求书

1.一种存储器元件，其包含：

第一电极；

碲化锗材料，其与所述第一电极接触；

碲化锡材料，其与所述碲化锗材料接触；和

第二电极，其与所述碲化锡材料接触。

2.如权利要求1所述的存储器元件，其中至少一部分所述碲化锗材料形成为具 有约的厚度。

3.如权利要求1所述的存储器元件，其中所述碲化锡材料形成为具有约的 厚度。

4.如权利要求1所述的存储器元件，其中所述第一电极和所述第二电极中一者 或两者形成为包含钨。

5.一种存储器元件，包含：

第一和第二电极；

位于所述第一和第二电极之间的绝缘材料；

位于所述第一和第二电极之间的相变材料，所述相变材料包含碲化锗；及

位于所述相变材料和所述第二电极之间的碲化锡材料，其中所述相变材料和所述 碲化锡材料形成在通孔内，所述通孔位于通过所述第一电极至少部分地延伸的所述绝 缘材料内。

6.如权利要求5所述的存储器元件，其中所述相变材料在所述通孔的邻近所述 第一电极的边缘处具有小于或等于的厚度。

7.如权利要求5所述的存储器元件，其中所述存储器元件经配置以使用小于或 等于200μA的电流设置成第一电阻状态。

8.如权利要求5所述的存储器元件，其中所述存储器元件经配置以使用小于或 等于280μA的电流重设成第二电阻状态。

9.如权利要求5所述存储器元件，其中所述存储器元件经配置以使用约1.17V 的电压重设成所述第一电阻状态。

10.如权利要求5所述的存储器元件，其中所述存储器元件经配置以使用约1.4V 的电压设置成所述第二电阻状态。

11.如权利要求5所述的存储器元件，其中所述相变材料包含小于70％的碲。

12.如权利要求5所述的存储器元件，其中所述碲化锡材料包含约50％的锡和约 50％的碲。

13.如权利要求5所述的存储器元件，其中所述第一电极和所述第二电极中的一 者或两者包含钨。

14.一种形成存储器元件的方法，其包括：

形成第一电极；

所述第一电极上方及通孔内形成相变材料，所述相变材料包含碲化锗；

在所述相变材料上方及所述通孔内形成碲化锡材料；及

在所述碲化锡材料上方形成第二电极。

15.如权利要求14所述的方法，其中至少一部分所述相变材料形成为具有约的厚度。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述相变材料形成为具有约的厚度。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极中的一者或 两者形成为包含钨。