[发明专利]一种盆栽牡丹促成栽培的贮藏方法

权利要求书

1.一种促成栽培用盆栽牡丹的贮藏方法，所述贮藏方法包括如下步骤：

第1步骤，以栽培基质将牡丹植株栽植于花盆内；

第2步骤，挖贮藏坑，并在所述贮藏坑的底部填上第一保温层；

第3步骤，将所述花盆放入所述贮藏坑内，并在所述花盆之间填上保温材料；

第4步骤，在所述花盆上覆上第二保温层；

第5步骤，在所述第二保温层上覆上塑料薄膜，并通过对所述塑料薄膜进行挖孔以让所述牡丹植株的枝条从中伸出；

第6步骤，在所述塑料薄膜上覆上土层；

第7步骤，在30～80天后，将所述花盆取出移入温室进行催花处理。

2.如权利要求1所述的贮藏方法，其中，所述保温材料、形成所述第一保温层的材料和形成所述第二保温层的材料为秸秆、草坪草、锯末和/或芦苇杆。

3.如权利要求1所述的贮藏方法，其中，所述第一保温层的厚度为5cm～10cm；所述第二保温层的厚度为2cm～8cm，所述土层的厚度为5cm～10cm。

4.如权利要求2所述的贮藏方法，其中，所述第一保温层的厚度为5cm～10cm；所述第二保温层的厚度为2cm～8cm，所述土层的厚度为5cm～10cm。

5.如权利要求1～4任一项所述的贮藏方法，其中，所述栽培基质是体积比为1∶1～3∶1～3的炉渣、腐熟锯末和腐熟秸秆的混合物。

6.如权利要求1～4任一项所述的贮藏方法，其中，所述贮藏坑处于背风向阳的位置，长度为5m～7m，宽度为4m～6m，深度为0.3m～0.8m。

7.如权利要求6所述的贮藏方法，其中，所述贮藏坑设有位于四个底角的排水坑和从四个底角向外延伸的与所述排水坑相连的排水沟，所述排水坑的深度为0.2m～0.6m，容积为0.01m³～0.25m³。

8.如权利要求6所述的贮藏方法，其中，所述贮藏坑的坑底中部向周边逐渐降低形成坡面，所述排水沟的底部比所述排水坑的底部低2cm～10cm。

9.如权利要求7所述的贮藏方法，其中，所述贮藏坑的坑底中部向周边逐渐降低形成坡面，所述排水沟的底部比所述排水坑的底部低2cm～10cm。

10.如权利要求1～4任一项所述的贮藏方法，其中，所述贮藏方法在秋季日均温度低于10℃后实施。

11.如权利要求1～4任一项所述的贮藏方法，其中，所述促成栽培针对元旦至自然花期之前的用花来实施。