[发明专利]电泳显示设备及其制造和修复方法有效
申请号: | 200910260651.3 | 申请日: | 2009-12-18 |
公开(公告)号: | CN101776830A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 李裁求;姜昇澈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/167 | 分类号: | G02F1/167 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电泳 显示 设备 及其 制造 修复 方法 | ||
本申请要求2008年12月24日提交的韩国专利申请10-2008-133925的优 先权,在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种电泳显示设备(EPD)及制造和修复该EPD的方法,更 具体地,其涉及一种能够防止修复工序期间在保护层中产生裂缝的EPD及制 造和修复该EPD的方法。
背景技术
一般而言,电泳显示设备(EPD)是一种利用电泳(一种在电场中将带电 粒子向阳极和阴极移动的现象)的平面显示器,其不需要外部光源,呈现出优 越的反射率和优越的灵活性和便携性,并且重量轻。
EPD是一种具有透明导电膜的反射型显示器,在这种显示器中,通过覆 盖薄且易于像纸或塑料一样弯曲的基膜来驱动电泳悬浮粒子。预计这种EPD 将作为下一代的电子纸张而受到瞩目。
参照图1A,对根据传统技术的EPD进行描述。图1A是示意性示出传统 EPD的截面图。
参见图1A,在基板11上形成栅极线(未示出)和栅极电极13a。公共电 极15被布置为与栅极线分开,并沿着与栅极线相同的方向上布置。然后,在 已形成有栅极线和栅极电极13a的基板11上形成栅极绝缘层17。在与栅极电 极13a对应的栅极绝缘层17上形成半导体图案19。
形成通过与栅极线交叉来限定像素区P的数据线21,从数据线21延伸出 的源极电极21a,和与源极电极21a分开预定距离并同时朝向像素区P突出的 漏极电极23。半导体图案19、源极电极21a、漏极电极23和栅极电极13a组 成薄膜晶体管(TFT)部分。
接着,将保护层25沉积在形成有源极电极21a、数据线21和漏极电极23 的基板11的整个表面上。然后,对保护层25选择性地构图,以形成使漏极电 极23暴露的漏极接触孔27。通过将诸如光丙烯酸酯这样的低介电的有机层沉 积其中电极彼此重叠的结构上,形成保护层25。
接着,将透明电极层沉积在包括漏极接触孔27的保护层25上,并对其进 行构图以形成像素电极31。像素电极31经由漏极接触孔27与漏极电极23连 接。此外,像素电极31在栅极线和数据线21彼此交叉所限定的像素区P中的 栅极线和数据线21上方重叠。
电泳膜33沉积在包括像素电极31的基板11上。电泳膜33包括聚合物粘 合剂和包含电子墨水的胶囊30。胶囊30中的电子墨水包括白色墨水33a和黑 色墨水33b。此外,分布在电泳膜33中的白色墨水33a和黑色墨水33b分别 带有正电荷和负电荷。
在电泳膜33上形成公共线(未示出),从而可以完成EPD。EPD是反射 型显示设备,为了增加反射率,将像素电极31形成为在像素区P中的栅极线 和数据线21上方重叠。因为像素电极31与栅极线或数据线21重叠,它们之 间产生的电容增加,这会影响像素电极31的驱动电压。
因此,当在像素电极31与栅极线或者数据线21之间设置的保护层25被 形成得较厚时,像素电极31与栅极线或者数据线21之间的信号干扰可以被最 小化。
当公共电极15断开(disconnect)时,执行修复工序。在修复工序中,通 过将激光束发射到与公共电极15对应的栅极绝缘层17和保护层25上,切割 掉已断开的公共电极15。然而,参照图1B,当激光束被发射到与公共电极15 对应的保护层25的A区域时,因为保护层25的厚度,可能会在激光束所照 射到的保护层25中产生裂缝,使得栅极线和数据线21可能会断开。
发明内容
根据本发明的一个概括方面,电泳显示设备包括:形成在基板上的栅极线、 栅极电极和与所述栅极线分隔开预定距离的公共电极;在包括栅极线的基板的 整个表面上形成的栅极绝缘层;被配置为通过与栅极线交叉来限定像素区的数 据线;被配置为从数据线延伸出的源极电极;与源极电极分隔开预定距离的漏 极电极;在包括数据线、源极电极和漏极电极的基板的整个表面上形成的保护 层;形成在保护层上并连接到漏极电极的像素电极;在包括像素电极的基板上 形成的电泳膜;形成在各像素区之间的边界部分上并被配置为将在各个像素区 中形成的公共电极连接起来的公共线;以及通过去除与公共线对应的保护层以 使栅极绝缘层暴露而形成的修复孔。
修复孔是公共电极断开时受到激光束照射的区域。
公共电极通过与朝向像素区的中部突出的漏极电极重叠形成存储电容器。
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