[发明专利]制造PIP电容器的方法无效
| 申请号： | 200910260391.X | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101770984A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李锺昊 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;吴淑平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 pip 电容器 方法 | ||
1.一种用于制造PIP电容器的方法，包括：
在硅衬底上形成场氧化膜的步骤，其用来限定器件隔离区和有源区；
在所述场氧化膜上形成其中掺杂有杂质的下部多晶硅电极的步骤；
实施氧化步骤以在其中掺杂有所述杂质的所述下部多晶硅电极的顶部和侧壁上形成第一氧化膜并同时在所述硅衬底的所述有源区上生长第二氧化膜的栅极氧化步骤，；以及
在所述第一氧化膜的区域上形成上部多晶硅电极并与此同时在所述第二氧化膜上形成栅电极的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成其中掺杂有杂质的下部多晶硅电极的步骤包括以下步骤：
在其上形成有所述场氧化膜的所述多晶硅衬底的整个表面上沉积多晶硅层；
向所述多晶硅层的区域内注入杂质离子；以及
去除除了其中注入有所述杂质离子的区域之外的所述多晶硅层，以形成下部多晶硅电极。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极氧化步骤包括：
通过所述氧化步骤生长比所述第二氧化膜更厚的所述第一氧化膜的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：
选择性地刻蚀所述第一氧化膜的另一区域，以暴露所述下部多晶硅电极的一部分；以及
实施硅化步骤以用来在所述上部多晶硅电极的一部分和所述暴露的下部多晶硅电极的一部分处形成硅化物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化膜的厚度随其中掺杂的杂质的浓度变高而变厚。
6.一种用于制造PIP电容器的方法，包括：
在硅衬底上形成场氧化膜的步骤，其用来限定器件隔离区和有源区；
在所述场氧化膜上形成其中掺杂有杂质的下部多晶硅电极和多晶硅电阻器的步骤；
执行氧化步骤以分别在其中掺杂有所述杂质的所述下部多晶硅电极和所述多晶硅电阻器的顶部和侧壁上形成氧化膜以并同时在所述硅衬底的所述有源区上形成氧化膜的栅极氧化步骤；以及
在形成在所述下部多晶硅电极上的所述氧化膜的区域上形成上部多晶硅电极并与此同时在所述有源区上的所述氧化膜上形成栅电极的步骤。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述在场氧化膜上形成其中掺杂有杂质的下部多晶硅电极和多晶硅电阻器的步骤包括以下步骤：
在其上形成有所述场氧化膜的所述硅衬底的整个表面上沉积多晶硅层；
向所述多晶硅层的区域内注入杂质离子；以及
去除除了其中注入有所述杂质离子的所述多晶硅层和用于形成在所述场氧化膜上的多晶硅电阻器的所述多晶硅层的区域之外的所述多晶硅层，以形成所述下部多晶硅电极和所述多晶硅电阻器。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成在所述下部多晶硅电极的顶部和侧壁上的所述氧化膜比形成在所述多晶硅电阻器的顶部和侧壁的所述氧化膜以及形成在有源区中的所述氧化膜更厚。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910260391.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
