[发明专利]与温度无关的欠压检测器和有关方法

权利要求书

1.一种欠压检测器，包括：

分压器网络，所述分压器网络包括：

第一电路，耦合到输入偏置电压源的第一端子，所述第一电路包括数目为M的半导体器件，其中M至少为一，

第二电路，与所述第一电路串联耦合，所述第二电路包括第一分压器电阻器、第二分压器电阻器和在所述第一分压器电阻器与所述第二分压器电阻器之间的电路节点，

第三电路，与所述第二电路串联并且耦合到所述输入偏置电压源的第二端子，所述第三电路包括数目为P的半导体器件，其中P至少为一；以及

比较器，具有耦合到所述电路节点的第一输入和耦合到电压参考的第二输入。

2.根据权利要求1所述的欠压检测器，其中所述第一电路被配置成提供用于所述比较器的偏置电流。

3.根据权利要求1所述的欠压检测器，还包括：

第一偏置电阻器，耦合到第一比较器输入晶体管的电流输入端子；以及

第二偏置电阻器，耦合到第二比较器输入晶体管的电流输入端子。

4.根据权利要求3所述的欠压检测器，

其中所述第一比较器输入晶体管包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，

其中所述第一比较器输入晶体管的电流输入端子包括所述第一比较器输入晶体管的源极输入端子，

其中所述第二比较器输入晶体管包括MOSFET，并且

其中所述第二比较器输入晶体管的电流输入端子包括所述第二比较器输入晶体管的源极输入端子。

5.根据权利要求3所述的欠压检测器，其中所述P个半导体器件中的至少一个半导体器件和所述M个半导体器件中的至少一个半导体器件以二极管配置耦合。

6.根据权利要求5所述的欠压检测器，还包括电流镜，其输入耦合到所述第一电路以产生所述偏置电流。

7.根据权利要求6所述的欠压检测器，

其中所述第一偏置电阻器的电阻基本上等于所述第二偏置电阻器的电阻，并且

其中所述数目P与所述数目M之比等于所述第二分压器电阻器的电阻与所述第一分压器电阻器的电阻之比。

8.根据权利要求6所述的欠压检测器，还包括耦合于所述数目为M的半导体器件之一的发射极与基极之间的、电阻为R3的发射极-基极电阻器，

其中所述第一电路提供的用于所述比较器的所述偏置电流通过按照因子N来减少所述偏置电流的电流镜而耦合到所述比较器，

其中R1和R2分别代表所述第一和第二分压器电阻器的电阻，

其中R4和R5分别代表所述第一和第二偏置电阻器的电阻，并且

其中基本上满足以下关系：

[P·R1-M·R2R1+R2+(R4-R5)·1N·R3]=0.]]>

9.根据权利要求1所述的欠压检测器，其中所述数目P与所述数目M之比等于所述第二分压器电阻器的电阻与所述第一分压器电阻器的电阻之比。

10.根据权利要求1所述的欠压检测器，其中所述比较器的输出产生欠压检测信号。

11.根据权利要求10所述的欠压检测器，还包括反相器，其耦合到所述比较器的输出以产生所述欠压检测信号。