[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

(a)提供一第一晶圆及一第二晶圆，该第一晶圆具有一第一主动面及至少一第一电性连接垫，该第一电性连接垫显露于该第一主动面，且具有至少一穿孔，该第二晶圆具有一第二主动面及至少一第二电性连接垫，该第二电性连接垫显露于该第二主动面；

(b)配置该第一晶圆于该第二晶圆上；

(c)移除部分该第一晶圆，以形成一沟槽，该沟槽与该第一电性连接垫的穿孔相连通，且显露该第一电性连接垫及该第二电性连接垫；

(d)形成一穿导孔于该沟槽内，该穿导孔电性连接该第一电性连接垫及该第二电性连接垫；及

(e)形成至少一电性连接组件于该第一晶圆上，该电性连接组件电性连接至该穿导孔。

2.如权利要求1的方法，其中该步骤(b)中，利用一连接材连接该第一晶圆及该第二晶圆。

3.如权利要求1的方法，其中该步骤(b)中，利用阳极键合方法连接该第一晶圆及该第二晶圆。

4.如权利要求1的方法，其中该步骤(c)中，该沟槽的截面积小于或等于该第一电性连接垫及该第二电性连接垫的截面积，该沟槽的截面积大于或等于该第一电性连接垫的穿孔的截面积。

5.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)中，同时形成一堆栈式晶圆结构，该步骤(e)之后，更包括一切割该堆栈式晶圆结构的步骤，以形成数个半导体结构。

6.一种半导体结构的制造方法，包括：

(a)提供一第一晶圆、一第三晶圆、一第二晶圆及至少一第一电性连接垫，该第一晶圆具有一第一主动面，该第三晶圆具有一第三主动面，该第二晶圆具有一第二主动面及至少一第二电性连接垫，该第二电性连接垫显露于该第二主动面，该第一电性连接垫具有至少一穿孔，该第一电性连接垫位于该第一晶圆或该第三晶圆内；

(b)配置该第三晶圆于该第二晶圆上，配置该第一晶圆于该第三晶圆上；

(c)移除部分该第一晶圆及部分该第三晶圆，以形成一沟槽，该沟槽与该第一电性连接垫的穿孔相连通，且显露该第一电性连接垫及该第二电性连接垫；

(d)形成一穿导孔于该沟槽内，该穿导孔电性连接该第一电性连接垫及该第二电性连接垫；及

(e)形成至少一电性连接组件于该第一晶圆上，该电性连接组件电性连接至该穿导孔。

7.如权利要求6的方法，其中该步骤(a)中，该第一电性连接垫位于该第三晶圆内，且显露于该第三主动面。

8.如权利要求6的方法，其中该步骤(a)中，该第一电性连接垫位于该第一晶圆内，且显露于该第一主动面。

9.如权利要求8的方法，其中该步骤(a)中，更提供至少一第三电性连接垫，具有一穿孔，该第三电性连接垫位于该第三晶圆内，且显露于该第三主动面。

10.如权利要求6的方法，其中该步骤(b)中，利用一连接材连接该第一晶圆、该第二晶圆及该第三晶圆，该第三晶圆位于该第二晶圆上，该第一晶圆位于该第三晶圆上。

11.如权利要求6的方法，其中该步骤(b)中，利用阳极键合方法连接该第一晶圆、该第二晶圆及该第三晶圆，该第三晶圆位于该第二晶圆上，该第一晶圆位于该第三晶圆上。

12.如权利要求6的方法，其中该步骤(c)中，该沟槽的截面积小于或等于该第一电性连接垫及该第二电性连接垫的截面积，该沟槽的截面积大于或等于该第一电性连接垫的穿孔的截面积。

13.如权利要求6的方法，其中该步骤(d)中，该穿导孔包括一第一阻绝层，该第一阻绝层位于该沟槽的侧壁，且具有数个区段，并显露该第一电性连接垫。

14.如权利要求6的方法，其中该步骤(e)中，同时形成一堆栈式晶圆结构，该步骤(e)之后，更包括一切割该堆栈式晶圆结构的步骤，以形成数个半导体结构。