[发明专利]显示装置、用于驱动所述显示装置的方法和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置、用于驱动所述显示装置的方法和电子设备。更具体地讲，本发明涉及平面(平的面板)显示装置、用于驱动所述显示装置的方法和电子设备，所述平面显示装置具有像素矩阵，其中每个像素都包括电光元件。

背景技术

近年来，在用于显示图像的显示装置的领域中，迅速增加了具有每个像素都包括发光元件的像素矩阵(像素电路)的平面显示装置的流行。平面显示装置，例如包括有机电致发光(EL)元件的有机EL显示装置已被开发并商业化了，所述有机EL元件使用其中向有机薄膜施加电场引起发光的现象。

由于可通过施加10V或更少的电压来驱动有机EL元件，所以电力消耗低。此外，由于自发射特性，有机EL元件不使用液晶显示装置必需的光源(背光)。此外，由于高至几微秒的响应速度，有机EL元件在移动图像的显示期间不引起任何余像。

与在液晶显示装置中一样，有机EL显示装置可使用简单(无源)矩阵和有源矩阵驱动方案。近年来，大大加速了包括具有有源元件的像素电路的有源矩阵显示装置，例如，绝缘栅场效应晶体管(一般来讲，薄膜晶体管(TFT))的发展。

一般来讲，有机EL元件的电流-电压特性(I-V特性)随时间劣化(被称为随时间的劣化)。此外，驱动晶体管的阈值电压Vth或在驱动晶体管中形成沟道的半导体薄膜的迁移率μ(在下文中被称作“驱动晶体管的迁移率μ”)随时间改变，或者由于制造过程中的变化在像素与像素之间改变。

因此，为了将有机EL元件的发光亮度保持在恒定水平，而不经受上述影响，每个像素电路被配置为具有补偿有机EL元件中的特征变化的功能，和用于校正驱动晶体管的阈值电压Vth的变化(在下文中被称为“阈值校正”)和校正驱动晶体管的迁移率μ的变化(在下文中被称为“迁移率校正”)的校正功能(见例如日本未审专利申请公开No.2006-133542)。

发明内容

然而，在现有技术的像素电路的电位设定中，像素中驱动晶体管的栅极和阴极之间的短路使得缺陷像素不发光。此外，还出现另一个问题：其中在传送之前几个像素的亮度改变的区域(在下文中被称为“亮度改变区域”)被感知为线性缺陷。在可视性方面，亮度的变化不允许基于显示区域中不发光像素的数量的标准的设置。具体地讲，对于亮度的增加，不允许即使一个不发光的像素。尤其是，如果亮度在显示区域中增加，则存在感知线性缺陷的问题。

此外，在现有技术的像素电路中，存储电容器和辅助电容器被布置为彼此相邻，并且在同一层中设置连接至那些电容器的布线。由于其上的灰尘等，存在在制造过程中同一层中的布线彼此短路的风险。布线之间的短路引起了驱动晶体管的栅极和有机EL元件的阴极之间的短路，使得与布线相导通。驱动晶体管的栅极和有机EL元件的阴极之间的短路涉及这样的问题，其中已经出现短路的缺陷像素不发光，并且在传送方向上前面的几个像素的亮度改变区域被感知为线性缺陷。在可视性方面，亮度的变化不允许基于显示区域中不发光像素的数量的标准的设置。具体地讲，对于亮度增加，不允许即使一个不发光的像素。尤其是，如果亮度在显示区域中增加，则存在感知线性缺陷的问题。

因此，希望即使驱动晶体管的栅极和阴极在像素内彼此电短路，亮度改变区域也不被感知为线性缺陷，即使缺陷像素可能不发光。

还希望防止在驱动晶体管的栅电极和阴极电极之间出现电短路，从而由于该短路，不发光的像素和亮度改变区域可不被感知为线性缺陷。

本发明的实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括具有被布置为矩阵的像素的像素阵列单元，每个像素具有包括有机电致发光元件、驱动晶体管、写入晶体管和存储电容器(storage capacitor)的电路配置，其中有机电致发光元件的阳极电极被连接至驱动晶体管的源电极，驱动晶体管的栅电极被连接至写入晶体管的源电极或漏电极，并且存储电容器被连接在驱动晶体管的栅电极和源电极之间；为像素阵列单元中的各像素行放置并被配置为向写入晶体管的栅电极供应扫描信号的扫描线；为像素阵列单元中的各像素行放置并被配置为向驱动晶体管的漏电极选择性地供应第一电位和低于第一电位的第二电位的电源线；以及为像素阵列单元中的各像素列放置并被配置为向写入晶体管的漏电极或源电极选择性地供应视频信号和视频信号参考电位的信号线。在驱动前一行的像素期间向扫描线供应扫描信号的时段内向信号线供应视频信号参考电位，并且当执行当前像素中的驱动晶体管的阈值校正时，视频信号参考电位和有机电致发光元件的阴极电极的电位彼此相等。