[发明专利]用于确定位置和方向的磁阻传感器

权利要求书

1.一种用于位置和方向跟踪系统(30)的磁阻传感器(10)，包括：

绝缘衬底(12)；

沉积在该绝缘衬底(12)的表面(18)上的金属材料(14)和半导体材料 (16)的交替图案；以及

沉积在金属材料(14)和半导体材料(16)的该交替图案上的偏磁材料(20)； 其中，所述金属材料和所述半导体材料的所述交替图案位于所述绝缘衬底和所 述偏磁材料之间。

2.如权利要求1所述的磁阻传感器(10)，进一步包括耦合到该金属材料 (14)的至少一个输入连接接触(22)。

3.如权利要求1所述的磁阻传感器(10)，进一步包括耦合到该金属材料 (14)的至少一个输出连接接触(24)。

4.如权利要求1所述的磁阻传感器(10)，其中该交替图案的该半导体材 料(16)彼此串联连接以增大该磁阻传感器(10)的电阻。

5.如权利要求1所述的磁阻传感器(10)，其中该半导体材料(16)包括 单一半导体元素。

6.如权利要求1所述的磁阻传感器(10)，其中该偏磁材料(20)使该半 导体材料(16)受到磁场。

7.如权利要求6所述的磁阻传感器(10)，其中该磁阻传感器(10)响应 于该磁场的强度和方向而提供信号。

8.如权利要求6所述的磁阻传感器(10)，其中该磁场增大该磁阻传感器 (10)的电阻。

9.如权利要求1所述的磁阻传感器(10)，其中该磁阻传感器(10)的尺 寸为约0.1mm×0.1mm。

10.一种位置和方向跟踪系统(30)，包括：

附着于固定对象的至少一个磁阻参考传感器(34)；

附着于被跟踪对象的至少一个磁阻传感器(32)；以及

耦合到该至少一个磁阻参考传感器(34)和该至少一个磁阻传感器(32) 的处理器(36)；其中，所述至少一个磁阻参考传感器和所述至少一个磁阻传感 器的每一者都包括：

绝缘衬底(12)，

沉积在该绝缘衬底的表面(18)上的金属材料(14)和半导体材料(16) 的交替图案，以及

沉积在金属材料(14)和半导体材料(16)的该交替图案上的偏磁材料， 其中，所述金属材料和所述半导体材料的所述交替图案位于所述绝缘衬底和所 述偏磁材料之间。

11.如权利要求10所述的位置和方向跟踪系统(30)，其中该处理器(36) 计算该被跟踪对象的位置和方向。

12.如权利要求10所述的位置和方向跟踪系统(30)，其中该至少一个磁 阻参考传感器(34)和该至少一个磁阻传感器(32)不受该位置和方向跟踪系 统(30)中的金属性畸变器(40)存在的影响。

13.一种位置和方向跟踪系统(30)，包括：

附着于固定对象的至少一个磁阻参考传感器(34)；

附着于被跟踪对象的至少一个磁阻传感器(32)；

耦合到该至少一个磁阻参考传感器(34)和该至少一个磁阻传感器(32) 的处理器(36)；以及

耦合到该处理器(36)的用户界面(38)；其中，所述至少一个磁阻参考传 感器和所述至少一个磁阻传感器的每一者都包括：

绝缘衬底(12)，

沉积在该绝缘衬底的表面(18)上的金属材料(14)和半导体材料(16) 的交替图案，以及

沉积在金属材料(14)和半导体材料(16)的该交替图案上的偏磁材料， 其中，所述金属材料和所述半导体材料的所述交替图案位于所述绝缘衬底和所 述偏磁材料之间。

14.如权利要求13所述的位置和方向跟踪系统(30)，其中该处理器(36) 计算该被跟踪对象的位置和方向数据。

15.如权利要求13所述的位置和方向跟踪系统(30)，其中该用户界面(38) 为操作者提供该位置和方向数据的可视化。

16.如权利要求13所述的位置和方向跟踪系统(30)，其中该至少一个磁 阻参考传感器(34)和该至少一个磁阻传感器(32)不受该位置和方向跟踪系 统(30)中的金属性畸变器(40)存在的影响。