[发明专利]发光器件有效
| 申请号: | 200910254283.1 | 申请日: | 2009-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN101826586A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
| 发明(设计)人: | 金鲜京 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
具有预定厚度、宽度和周期的具有至少一种形状的预定图案的反射层;和
在所述反射层上形成的发光层,其中所述预定周期基于0.75λ/n~5λ/n,其中λ是由所述发光层发射的光的波长,n是所述发光层的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发光层包括:
在所述预定图案上的第一导电型半导体层;
在所述第一导电型半导体层上的有源层;和
在所述有源层上的第二导电型半导体层。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述至少一种形状为线形状且沿第一方向延伸,并且沿垂直于所述第一方向的第二方向重复,相邻的线形状基于所述预定周期沿所述第二方向彼此间隔开预定距离。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述至少一种形状具有与长度不同的宽度,所述至少一种形状沿第一方向和第二方向重复,所述第一方向垂直于所述第二方向。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述第一和第二距离彼此不同。
6.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述至少一种形状沿所述第一方向的图案密度与所述至少一种形状沿所述第二方向的图案密度不同。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述至少一种形状沿所述第一方向重复以形成多个成形图案,所述至少一种形状沿所述第二方向重复以形成多个成形图案,其中相邻的成形图案沿所述第一方向间隔开第一预定距离,相邻的成形图案沿所述第二方向间隔开第二预定距离,所述第一和第二距离不同。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述至少一种形状的下表面和侧表面与所述发光层的至少一个表面交叠。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述至少一种形状的顶表面仅仅接触所述发光层的表面。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述至少一种形状由透明材料或者介电材料形成。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中0.75λ/n~5λ/n对应于约150nm~600nm。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述至少一种形状的宽度为0.4a~0.9a,其中a对应于0.75λ/n~5λ/n。
13.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述第一导电型半导体层的厚度为0.75mλ/2n~1.25mλ/2n,m为自然数。
14.一种发光器件,包括:
具有至少一种预定形状的图案的第一电极层;
在所述第一电极层上形成的发光层;和
在所述第一电极层和所述发光层之间形成的预定层,所述预定层具有至少一种形状的图案,其中所述预定层使得由所述发光层发射的光沿预定方向偏振。
15.一种发光器件,包括:
反射层;
在所述反射层上形成的第一半导体层;
在所述第一半导体层上形成的有源层;
在所述有源层上形成的第二半导体层;
在所述反射层上形成的突起,所述突起朝向所述第一半导体层延伸以在所述反射层上的相邻突起之间形成凹陷;和
在由所述反射层上的所述突起限定的凹陷中形成的图案化的层,使得所述图案化的层的顶表面与所述突起的上表面基本齐平。
16.一种发光器件,包括:
反射层;
在所述反射层上形成的第一半导体层;
在所述第一半导体层上形成的有源层;
在所述有源层上形成的第二半导体层;和
在与所述反射层邻近的所述第一半导体层的表面上形成的突出图案,所述突出图案包括从所述第一半导体层的表面朝向所述反射层延伸的多个突起。
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