[发明专利]多晶硅清洗装置和清洗方法

权利要求书

1.多晶硅清洗装置，所述多晶硅清洗装置具有充满酸的多个酸 洗池(2～6)，将多晶硅通过由第1酸洗池至最后的酸洗池依次浸渍来清 洗多晶硅，其特征在于，

如下设定各酸洗池(2～6)的液温：相邻的后段酸洗池的液温与前段 酸洗池的液温相同或更低，且上述最后的酸洗池比上述第1酸洗池温 度低，

在各酸洗池(2～6)中相邻的2个以上酸洗池之间，设置有将上述后 段酸洗池内的酸移动至上述前段酸洗池内的液体移动手段即溢流流 路(11)，

在这些溢流流路(11)中，将设置于上述最后的酸洗池(6)的上述溢 流流路(11)设置在最高位置，

由上述最后的酸洗池(6)朝向在上述最后的酸洗池(6)之前的浸渍 上述多晶硅的上述前段酸洗池，将上述溢流流路(11)设置在依次降低 的位置。

2.权利要求1的多晶硅清洗装置，其特征在于，设置有将各酸 洗池的液温保持大致恒定的温度调节手段。

3.权利要求1的多晶硅清洗装置，其中，在通过上述液体移动 手段形成连通状态的各酸洗池中，至少在上述最后的酸洗池中设置酸 供给手段，

使排液处理系统与上述第1酸洗池连接。

4.权利要求1的多晶硅清洗装置，其中，设置有纯水池，其用 于将浸渍于上述最后的酸洗池中并提起的多晶硅浸渍在纯水中。

5.权利要求1的多晶硅清洗装置，其中，在上述第1酸洗池和 上述最后的酸洗池之间，设置有至少一个用于将多晶硅浸渍在纯水中 的中间纯水池。