[发明专利]有机发光器件有效
| 申请号: | 200910252762.X | 申请日: | 2009-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN101752511A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
| 发明(设计)人: | 镰谷淳;河田功;山田直树;齐藤章人;友野宽之;岸野贤悟;桥本雅司;井川悟史;冲中启二 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光器件和包括含有机发光器件的像素的图像显示设备。
背景技术
有机发光器件各自包括阳极、阴极和包含荧光有机化合物并夹持在阳极与阴极之间的薄膜。将电子和空穴分别从阴极和阳极注入薄膜中,由此在荧光有机化合物中产生激子。当激子返回基态时,从荧光有机化合物中发出光。
有机发光器件被称之为有机电致发光器件或简称为有机EL器件。
近年来,已显著地改进有机发光器件。因此,有机发光器件具有低电压下的高亮度和快响应,发出具有各种波长的光,并能够转变为薄的、轻质的器件。这意味着有机发光器件具有多种可能的应用。
在过去,已深入地研究用于发光器件中的有机化合物。这是因为有机化合物的发光性能和有机发光器件的构造影响有机发光器件的性能,因此是重要的。
以下文献公开了用于发光层的材料和发光器件颜色纯度方面的改进:日本专利特开2000-323279、2002-299058、2004-206893和8-213174,以及WO 00/39247。
为了实际的应用,需要改进在以上文献中公开的有机发光器件。
特别地,这些有机发光器件需要发出更亮的光或需要具有更高的转换效率。另外,这些有机发光器件需要改进耐久性, 从而不会在长时间内劣化或者不被大气气体或湿度劣化。
应用于全色显示器的有机发光器件需要以高效率发出具有高颜色纯度的蓝光。然而,此问题还未满意地得到解决。
因此,需要设计以下化合物、器件和技术:具有高颜色纯度、发光效率和耐久性的有机化合物;能够有效使用所述有机化合物的有机发光器件;和设计用于实现该目的的分子的技术。
发明内容
本发明提供有机发光器件,其包括第一电极、第二电极和设置于第一与第二电极之间的发光层。所述发光层包含发出具有峰值波长430至480nm的光致发光光的有机化合物。所述有机化合物具有从黄-里斯(huang-Rhys)因子计算的在波数1,300至1,680cm-1处0.02以下的外形因数(profile factor)。
所述有机发光器件能够有效地发出亮光。
本发明的进一步特征将从以下参考附图的示例性实施方案的描述中变得显而易见。
附图说明
图1为示出半高宽的短波长区域和长波长区域的图。
图2为示出发光度曲线的图。
图3为示出发射光谱1至3的图。
图4为示出有机化合物的光致发光光谱和用于光共振器结构的有机化合物的电致发光光谱的图。
图5为示出光谱A、B和C的图。
图6为示出第一振动峰的半高宽与第二振动的半高宽之间关系的图。
图7为示出各主体材料和客体材料的最高占据的分子轨 道、最低未占据的分子轨道和发光中心的图。
图8为示出由于简正振动模式的发射光谱的振动进程的图。
图9为示出激发态与基态之间的简正振动坐标偏移的图。
图10为示出具有第一振动峰和第二振动峰的发射光谱的图。
图11为示出具有第一振动峰和第二振动峰的发射光谱的图。
图12为示出具有第一振动峰和第二振动峰的发射光谱的图。
图13为示出具有第一振动峰和第二振动峰的发射光谱的图。
图14为包括有机发光器件和供给电信号至有机发光器件的单元的显示设备的示意图。
图15为连接至像素的像素电路、信息信号线、栅选择线(gate selection line)和电流供给线的示意图。
图16为形成像素的电路图。
图17为TFT板的示意性截面图。
图18为示出有机化合物1的计算的黄-里斯因子的图。
图19为示出有机化合物1的计算的发射光谱的图。
图20为示出有机化合物2的计算的黄-里斯因子的图。
图21为示出有机化合物2的计算的发射光谱的图。
图22为示出有机化合物3的计算的黄-里斯因子的图。
图23为示出有机化合物3的计算的发射光谱的图。
图24为示出有机化合物4的计算的黄-里斯因子的图。
图25为示出有机化合物4的计算的发射光谱的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





