[发明专利]灰色调掩模版、灰色调掩模及其制造方法

说明书

本申请是申请号为200580000745.7、申请日为2005年6月22日、 发明名称为“掩模版用透光性基板的制造方法、掩模版的制造方法、 曝光用掩模的制造方法、半导体装置的制造方法以及液晶显示装置的 制造方法以及曝光用掩模的缺陷修正方法”的发明专利申请的分案申 请。

技术领域

本发明涉及修正半导体装置制造过程中使用的曝光用掩模上形 成的缺陷的曝光用掩模的缺陷修正方法、以及具有采用该缺陷修正方 法进行的缺陷修正工序的曝光用掩模的制造方法、修正在作为曝光用 掩模的原版的掩模版用透光性基板上形成的缺陷的掩模版用透光性基 板的制造方法、使用了该掩模版用透光性基板的掩模版的制造方法以 及曝光用掩模的制造方法、以及使用曝光用掩模制造半导体装置或液 晶显示装置的半导体装置或液晶显示装置的制造方法。

背景技术

在曝光用掩模的制造过程之中需检查透光性基板上形成的掩模 图形是否与设计一致。以便检出是否存在本不应去除的掩模图形却被 去除的针孔缺陷(白缺陷)，以及由于蚀刻不足一部分膜未被去除掉 的蚀刻不足缺陷(黑缺陷)。当检出了此种针孔缺陷及蚀刻不足造成 的缺陷的情况下，对此加以修正。

上述白缺陷的修正方法有：采用FIB(Focussed Ion Beam：聚 焦离子束)辅助沉积法，以及激光CVD法使碳膜等堆积到针孔上。 此外，上述黑缺陷的修正方法有：采用FIB及激光照射，去除多余部 分。

此外，关于玻璃基板上形成的突起形缺陷，最近有人提出下述光 掩模的缺陷修正方法：用触针式形状测定器及扫描探针显微镜的端部 尖锐的微小探针物理性去除突起形缺陷(参照特许文献1、特许文献 2)。

特许文献1：特许第3251665号公报

特许文献2：特开2003-43669号公报

发明内容

如上所述，若采用现有的曝光用掩模的缺陷修正方法，固然可以 修正膜的黑缺陷、白缺陷以及玻璃基板等透光性基板上形成的突起形 缺陷，但对于透光性基板表面上形成的伤痕等凹状缺陷(下文称之为 凹陷缺陷)，由于不存在具有相应光学性、化学性以及物理性的可补 充物质，无法采用补充法来修正凹陷缺陷，因而至今为止并没有凹陷 缺陷的修正方法。

透光性基板表面上形成的伤痕等凹陷缺陷与由曝光光的散射造 成的透光量的损耗相同，由于从凹陷缺陷和凹陷缺陷周边部分透过的 曝光光的干涉效应，引起透光量的下降，其结果是在被复制体上形成 复制图形缺陷。因此，多年来在曝光用掩模的缺陷检查中一旦发现透 光性基板表面存在凹陷缺陷，由于不能修正，因而只能将该曝光用掩 模报废。

此外，在掩模版(mask blank)阶段，即经镜面研磨表面后的透 光性基板表面上若存在伤痕等凹陷缺陷，例如当采用湿法蚀刻形成掩 模图形时，上述凹陷缺陷位于掩模图形的边界(即凹陷缺陷存在于从 掩模图形的形成区域到不形成区域的过渡地带)时，由于渗透在上述 凹陷缺陷中的蚀刻液进一步浸蚀已形成掩模图形的薄膜，因而存在图 形形状恶化、缺失(掩模图形的一部分欠缺的状态)等引起掩模图形 缺陷的问题。例如，制造液晶显示装置等时使用的大型光掩模的情况 下，由于形成掩模图形时的蚀刻大多使用湿法蚀刻，因而防止上述掩 模图形缺陷的产生即成为重要课题。

因此，本发明的第1目的在于提供一种可通过修正透光性基板表 面上存在的足以引起透光量下降的凹陷缺陷来防止产生复制图形缺 陷，以及可通过修正由于上述蚀刻液的渗透引起掩模图形缺陷的凹陷 缺陷来防止产生掩模图形缺陷的掩模版用透光性基板的制造方法，以 及使用此种透光性基板的掩模版及曝光用掩模的制造方法；本发明的 第2目的在于提供一种可通过修正透光性基板表面上形成的凹陷缺 陷，抑制透光量的下降，防止产生复制图形缺陷的曝光用掩模的缺陷 修正方法，以及具有采用此种缺陷修正方法的缺陷修正工序的曝光用 掩模的制造方法；本发明的第3目的在于提供一种可通过使用此种曝 光用掩模的蚀刻技术在半导体基板上形成无缺陷细微图形的半导体装 置的制造方法，以及可在液晶显示装置用基板上无缺陷地形成细微图 形的液晶显示装置的制造方法。

为了解决上述课题，本发明具有以下构成。