[发明专利]一种利用钽金属制作薄膜射频陶瓷功率器件的工艺无效
| 申请号： | 200910251460.0 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102108030A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 方超;周永胜 | 申请（专利权）人： | 安徽信安通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C04B35/10;C04B35/581;C04B35/08;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 金属 制作 薄膜 射频 陶瓷 功率 器件 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.利用真空磁控溅射方式，在陶瓷基体上沉积钽金属薄膜，薄膜厚度为纳米级的工艺流程；
2.在陶瓷基体上的钽薄膜，是用来承载比厚膜电路更大功率和容量；
3.权利1中的提到的陶瓷，是指氮化铝，氧化铝，氧化镀。
4.利用本工艺，在陶瓷基体上制成钽薄膜集成电路和混合集成电路；
5.权利要求2中的陶瓷功率器件，是指功率在100W以上，2GHz以上的工作频率下，驻波比在1.2以内的电阻、衰减器，大容量射频电容、电感。
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