[发明专利]大功率半导体器件管座压焊区去金工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种大功率半导体器件管座压焊区去金工艺。

背景技术

随着科技的发展，国内各行业需要的大功率器件越来越多。而在其 生产过程中，为了保证产品在使用过程中具有良好的可焊性，必须采用 镀金管腿。由于现有的大功率器件管座生产工艺，无法在镀金过程中使 压焊区与管腿隔离，因而，压焊区同时被镀金。而半导体芯片的导电带 为铝层，无论采用金丝还是铝丝键合，均存在金-铝系统，存在可靠性隐 患，许多高尖端产品严禁采用金铝系统。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种不存在金-铝系统肝，可解除可 靠性隐患，将管座的压焊区金层去除的大功率半导体器件管座压焊区去 金工艺。

本发明的技术解决方案是：

大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，其特殊之处是：对欲处理 管座进行区域选择性涂胶，不要使光刻胶粘到管座压焊区；将涂完胶的 管座放到已恒温的烘箱中烘烤10～50分钟，所述的烘箱温度为70～100 ℃；配制金腐蚀液，所述的金腐蚀液是由碘、碘化钾和高纯水按照重量 份数比1∶1∶2～1∶1∶4组成；用配好的金腐蚀液将压焊区的金层去除； 再经去胶、冲洗、脱水和烘干，即可。

上述的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，将腐蚀后的管座用 氮气吹干后，放到显微镜下进行检查，如果未腐蚀干净，可进行再腐蚀。

本发明的优点是：由于将欲处理管座进行区域选择性涂胶，可解决 大功率器件的金-铝系统问题，解除可靠性隐患。

附图说明

图1为管座(以F型管座为例)的结构示意图。

图中：1-压焊区，2-管脚，3-镀镍壳体

具体实施方式

实施例1

1.涂胶

如图1所示，对欲处理管座进行区域选择性涂光刻胶，即在镀镍壳 体3表面除压焊区1以外部位和管脚2表面涂正性光刻胶，同时注意不 要使光刻胶粘到管座压焊区1上。

2.烘烤

将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤10分钟，烘箱温度为100 ℃。

3.配制金腐蚀液

取碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1∶1∶2混合配制金腐蚀液。

4.腐蚀

将烘好的管座从烘箱中取出，放到金腐蚀液中进行腐蚀，2～8分钟 后，将管座取出，用高纯水进行冲洗。

5.后处理

5.1检查

将腐蚀后的管座用氮气吹干后，放到显微镜下进行检查，如果未腐 蚀干净，可进行再腐蚀。

5.2去胶

将腐蚀好的管座放到去胶液(丙酮)中浸泡，完成去胶工艺。

5.3冲洗

将管座用高纯水冲洗干净。

5.4脱水

对管座进行脱水。

5.5烘干

将管座用红外灯烘干。

实施例2

1.涂胶

如图1所示，对欲处理管座进行区域选择性涂光刻胶，即在镀镍壳 体3表面除压焊区1以外部位和管脚2表面涂正性光刻胶，同时注意不 要使光刻胶粘到管座压焊区1上。

2.烘烤

将涂完胶的管座放到已恒温的烘箱中烘烤50分钟，烘箱温度为70 ℃。

3.配制金腐蚀液

取碘、碘化钾和高纯水按照重量份数比1∶1∶4混合配制金腐蚀液。

4.腐蚀

将烘好的管座从烘箱中取出，放到金腐蚀液中进行腐蚀，2～8分钟 后，将管座取出，用高纯水进行冲洗。

5.后处理

5.1检查

将腐蚀后的管座用氮气吹干后，放到显微镜下进行检查，如果未腐 蚀干净，可进行再腐蚀。

5.2去胶

将腐蚀好的管座放到去胶液(丙酮)中浸泡，完成去胶工艺。

5.3冲洗

将管座用高纯水冲洗干净。

5.4脱水

对管座进行脱水。

5.5烘干

将管座用红外灯烘干。

实施例3

1.涂胶

如图1所示，对欲处理管座进行区域选择性涂光刻胶，即在镀镍壳 体3表面除压焊区1以外部位和管脚2表面涂正性光刻胶，同时注意不 要使光刻胶粘到管座压焊区1上。