[发明专利]像素结构和薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种像素结构，配置于薄膜晶体管阵列基板上，包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一像素电极和第二像素电极；

第一栅极线和第二栅极线，分别连接所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极；

第一薄膜晶体管和相邻像素结构的第二薄膜晶体管共用的数据线；

其特征在于，还包括遮光部，形成于第一像素电极和/或第二像素电极的边缘。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括公共电极线，形成于所述第一像素电极和第二像素电极之间。

3.如权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述遮光部包括：第一遮光部，形成于第一像素电极靠近第一栅极线的边缘，和/或形成于第二像素电极靠近第一栅极线的边缘。

4.如权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述遮光部包括：第二遮光部，形成于第一像素电极靠近第二栅极线的边缘，和/或形成于第二像素电极靠近第二栅极线的边缘。

5.如权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述遮光部包括：第三遮光部，形成于第一像素电极靠近数据线的边缘，和/或形成于第二像素电极靠近数据线的边缘。

6.如权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述遮光部包括：第四遮光部，形成于第一像素电极靠近第二像素电极的边缘，和/或形成于第二像素电极靠近第一像素电极的边缘。

7.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一遮光部由所述公共电极线向所述第一像素电极内部沿平行于所述第一栅极线方向延伸形成，和/或向第二像素电极内部沿平行于所述第一栅极线方向延伸形成。

8.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第二遮光部由所述公共电极线向所述第一像素电极内部沿平行于所述二栅极线方向延伸形成，和/或向第二像素电极内部沿平行于所述二栅极线方向延伸形成。

9.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第三遮光部为第一栅极线或第二栅极线向所述第一像素电极内部沿平行于所述数据线方向延伸形成，和/或向第二像素电极内部沿平行于所述数据线方向延伸形成。

10.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第四遮光部为所述公共电极线在平行数据线方向覆盖所述第一电极的边缘部分，和/或覆盖所述第二电极的边缘部分。

11.一种薄膜晶体管阵列基板，包括多个像素结构，其特征在于，所述像素结构为权利要求1～10任一项所述的像素结构。