[发明专利]铌酸锂光学调制器的半波电压快速测试方法

权利要求书

1.一种铌酸锂光学调制器的半波电压快速测试方法，涉及的测试系统包括一SLD光源，SLD光源把光信号通过一耦合器送到被测铌酸锂光学调制器，铌酸锂光学调制器的输出分支连接到光纤环形干涉仪中，耦合器同时把由铌酸锂光学调制器回来的光引向光探测器，把光信号变成电信号，再经过前级放大滤波电路、A/D转换芯片，由FPGA芯片将信号进行解调，最后经过主D/A转换芯片、后级放大器电路放大后形成调制信号接入铌酸锂光学调制器输入端，构成闭环回路，其特征在于该方法通过铌酸锂光学调制器对光纤环形干涉仪进行四态调制；在 FPGA芯片将A/D转换芯片送达的信号进行解调时，将相隔半周期的两个采样值相减即得出测试系统的增益误差量，FPGA芯片对所述增益误差量进行多次积分后传送给一辅助D/A转换芯片，再送达主D/A转换芯片来改变主D/A转换芯片的调制增益，以通过产生相应的增益闭环方式来补偿铌酸锂光学调制器由于温度变化所产生的半波电压变化，实现温度变化时铌酸锂光学调制器半波电压的快速自动跟踪。

2.如权利要求1所述的一种铌酸锂光学调制器的半波电压快速测试方法，其特征在于该方法中将一温度芯片和被测的铌酸锂光学调制器一起放到测试环境中，所述温度芯片将实时的温度值传给FPGA芯片，FPGA芯片将同步采集的半波电压和温度数据，通过RS485的方式传送到上位机。